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전극들 사이에 제1 클래드층, 발광층, 및 제2 클래드층이 구비된 발광다이오드에 있어서,
상부에 상기 제1 클래드층, 발광층, 및 제2 클래드층이 형성된 기판;
상기 제1 클래드층의 일정영역이 노출되도록 상기 제2 클래드층과 상기 발광층을 소정 깊이로 식각하여 형성된 홈;
상기 홈의 상부에 형성된 절연층; 및
상기 절연층의 상부에 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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2
제1 항에 있어서,
상기 홈의 크기는 상기 전극의 크기보다 작거나 같은 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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3
제1 항에 있어서,
상기 절연층을 형성하는 물질은 SiO2 또는 SiNx인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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4
제1 항에 있어서,
상기 절연층 및 전극의 사이에 개재하여 전도성 투명박막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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5
전극들 사이에 제1 클래드층, 발광층, 및 제2 클래드층을 구비하는 발광다이오드의 제조방법에 있어서,
상기 제1 클래드층, 발광층, 및 제2 클래드층을 형성하는 단계;
상기 제1 클래드층의 일정영역이 노출되도록, 상기 제2 클래드층과 상기 발광층을 소정 깊이로 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및
상기 홈의 상부에 절연층과 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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6
제5 항에 있어서,
상기 홈의 크기는 상기 전극의 크기보다 작거나 같은 크기를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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7
제5 항에 있어서,
상기 절연층을 형성하는 물질은 SiO2 또는 SiNx인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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8
제5 항에 있어서,
상기 절연층 및 전극의 사이에 개재하여 전도성 투명박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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