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이온성 고분자막;
상기 이온성 고분자막의 양면에 형성되며, 전압을 상기 이온성 고분자막에 전달하기 위한 금속층; 및
상기 금속층에 전압을 공급하기 위한 전원 공급부;
를 포함하며, 상기 이온성 고분자막은 일정비율의 탄소집합체가 혼입된 혼합막으로 이루어져 있으며, 상기 금속층에 전압 인가시 상기 혼합막의 단부가 변위를 일으키는 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기
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이온성 고분자막;
상기 이온성 고분자막의 양면에 형성되며, 이온성 고분자에 일정비율의 탄소집합체가 혼입된 혼합막;
상기 각각의 혼합막 일면에 형성되며, 전압을 상기 혼합막에 전달하기 위한 금속층; 및
상기 금속층에 전압을 공급하기 위한 전원 공급부;
를 포함하고, 상기 금속층에 전압 인가시 상기 혼합막의 단부가 변위를 일으키는 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기
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3
제1항에 있어서,
상기 혼합막의 양면과 상기 금속층 사이에는 이온성 고분자막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄소집합체는 풀러렌(Fullerene)을 이용하는 것을 특징으로 하며, 상기 혼합막의 전체 중량% 대비 0
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5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이온성 고분자막은 PVDF, SSEBS, Nafion의 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기
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이온성 고분자막을 용해시켜 액상으로 형성하는 제 1 단계;
액상의 상기 이온성 고분자막에 탄소집합체를 분산시켜 혼합액을 형성하는 제 2 단계;
상기 혼합액을 필름 막 형태로 형성하는 제 3 단계; 및
상기 필름 막에 금속층을 형성하고 절단하여 구동기를 완성하는 제 4 단계;를 포함하며, 상기 제 1 단계는 상기 이온성 고분자막을 디메틸아세트아미드 용액 50㎖에 담구고 80℃에서 6시간 동안 녹인 후, 5㎖의 오소디클로로벤젠을 혼합하여 액상으로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 이온성 고분자막은 PVDF, SSEBS, Nafion의 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 탄소집합체는 풀러렌을 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 제 2 단계는 일정량의 탄소집합체를 10㎖의 클로로벤젠에 용해시킨 후, 액상의 상기 이온성 고분자막에 첨가하고, 80℃에서 24시간 동안 분산시켜 혼합액을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 제 3 단계는 상기 혼합액을 틀에 붓고 항온항습조 또는 진공오븐에 넣고 120℃에서 12시간 동안 디메틸아세트아미드 증발처리 과정을 수행하고, 140℃에서 2시간 동안 풀림 과정을 수행하여 필름 막 형태로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 제 4 단계는 상기 필름 막을 금속염 용액에서 일정시간 이온-교환시켜 금속염을 흡착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소집합체가 혼입된 이온성 고분자 구동기의 제조방법
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