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란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 막 및 단결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015176696
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 막 및 단결정 성장 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 200도 내지 300도의 중저온에서 높은 전도도를 보이는 아파타이트 구조의 란탄 실리케이트를 제조하는 방법에 관한 것이다. 란탄 실리케이트, c-축 방향, 중저온, 전도도, 아파타이트, 비정상 입성장
Int. CL H01M 8/04 (2006.01) C30B 29/16 (2006.01) C01B 33/12 (2006.01) C30B 1/02 (2006.01)
CPC C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01) C30B 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090031249 (2009.04.10)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1106215-0000 (2012.01.09)
공개번호/일자 10-2010-0112784 (2010.10.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종숙 대한민국 광주광역시 북구
2 김재국 대한민국 광주광역시 북구
3 송선주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0217595-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.29 수리 (Accepted) 9-1-2010-0067248-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0175920-57
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0407582-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0407589-10
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0780624-72
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
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번호 청구항
1 1
란탄 실리케이트의 매트릭스 분말을 제조하는 단계; 란탄 실리케이트의 종자 분말을 제조하는 단계; 및 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말을 혼합하고, 상기 혼합된 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말에서 상기 란탄 실리케이트의 종자 분말을 결정 성장시키는 단계;를 포함하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 란탄 실리케이트의 매트릭스 분말을 제조하는 단계는 La계 분말과 Si계 분말을 혼합하여 란탄 실리케이트의 매트릭스 분말을 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 La계 분말은 La2O3 분말 또는 La(NO3)3 분말인 것을 특징으로 하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 Si계 분말은 SiO2 분말 또는 TEOS인 것을 특징으로 하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 란탄 실리케이트의 매트릭스 분말을 제조하는 단계:는 La2O3 분말과 SiO2 분말을 혼합하여 혼합 분말을 획득하는 단계; 및 상기 혼합 분말을 700도 내지 1400도의 온도에서 열처리하여 상기 매트릭스 분말을 획득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 란탄 실리케이트의 매트릭스 분말을 제조하는 단계:는 La2O3 분말과 SiO2 분말을 밀링(milling)하여 혼합 분말을 획득하는 단계; 및 상기 밀링된 La2O3 분말과 SiO2 분말의 혼합 분말을 800도 내지 1300도의 온도로 열처리하여 매트릭스 분말을 획득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 란탄 실리케이트의 매트릭스 분말을 제조하는 단계는 La2O3 분말 또는 La(NO3)3 분말과 SiO2 분말 또는 TEOS의 전구체를 이용한 솔겔(sol-gel)법으로 700도 내지 900도로 열처리하여 매트릭스 분말을 획득하는 단계인 것을 특징으로 하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말을 혼합하고, 상기 혼합된 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말에서 상기 란탄 실리케이트의 종자 분말을 결정 성장시키는 단계:는 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말을 혼합하는 단계; 및 상기 혼합된 란탄 실리케이트의 종자 분말과 매트릭스 분말을 냉간 등압 가압한 후 열처리하여 상기 란탄 실리케이트의 종자 분말을 결정 성장시키는 단계;를 포함하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 냉간 등압 가압은 100MPa 내지 200MPa의 압력으로 냉간 등압 가압하는 것을 특징으로 하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말을 혼합하고, 상기 혼합된 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말에서 상기 란탄 실리케이트의 종자 분말을 결정 성장시키는 단계:는 상기 매트릭스 분말과 란탄 실리케이트의 종자 분말을 혼합하는 단계; 및 상기 혼합된 란탄 실리케이트의 종자 분말과 매트릭스 분말을 테이프 캐스팅한 후 건조 가열 처리하여 상기 란탄 실리케이트의 종자 분말을 결정 성장시키는 단계;를 포함하는 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법
11 11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 ｃ-축 배향성 단결정 성장 방법으로 성장된 결정립은 일반식 (이때, 상기 x는 -0
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