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금 박막을 증착하고자 하는 고분자소재기판 표면에 -COOH 관능기를 도입하는 단계;
상기 도입된 -COOH 관능기를 활성화하는 단계; 및
상기 활성화된 -COOH 관능기를 이용하여 상기 고분자소재기판 표면에 -SH 관능기를 도입하는 단계를 포함하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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표면에 -COOH 관능기 갖는 고분자소재의 기판을 준비하는 단계; 및
상기 표면의 -COOH 관능기를 활성화하는 단계; 및
상기 활성화된 -COOH 관능기를 이용하여 상기 고분자소재기판 표면에 -SH 관능기를 도입하는 단계를 포함하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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3
제 2 항에 있어서,
상기 표면에 -COOH 관능기 갖는 고분자소재기판은 아크릴계 고분자, 투명성 무정형계고분자, 고투명 결정형계 고분자, 불소계 고분자중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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제 1 항에 있어서,
상기 -COOH 관능기를 도입하는 단계는 상기 기판을 황산(H2SO4)용액으로 처리하는 단계, 자외선을 상기 기판에 방사하는 단계, 또는 상기 기판을 카르복실산(Carboxylic acid, -COOH)과 함께 플라즈마 처리하는 단계 중 어느 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 -COOH 관능기를 활성화하는 단계는 NHS(N-hydroxy succinimide), Sulfo-NHS, EDC[N-(3-dimethylaminopropyl)-N'-ethycarbodiimide], 또는 MES(2- Morpholino ethane sulfonic acid) 중 하나 이상이 포함된 수용액에 상기 기판을 침지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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6
제 5 항에 있어서,
상기 MES가 포함된 수용액은 pH를 4-6으로 조절하여 사용되는 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 -SH 관능기를 도입하는 단계는 -NH2 관능기 및 -SH 관능기를 포함하고 있는 시약이 포함된 수용액에 상기 기판을 침지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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8
제 1 항에 있어서,
상기 고분자소재기판은 불소계고분자 또는 고투명계고분자 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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9
제 8 항에 있어서,
상기 불소계고분자는 PVDF, PVDF 공중합체, PTFE 공중합체중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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10
제 8 항에 있어서,
상기 고투명계고분자는 폴리메타메틸아크릴레이트(PMMA), 아크릴계, PVDF-co-HFP, PET, 폴리우레탄, PE, PS 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판 표면개질방법
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11
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 표면개질방법에 의해 개질된 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판
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12
제 11 항에 있어서,
상기 개질된 표면은 -SH 관능기를 갖는 것을 특징으로 하는 금 박막 증착용 고분자소재기판
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13
제 11 항의 금 박막 증착용 고분자소재기판에 금 박막을 증착하여 제조된 것을 특징으로 하는 금 전극
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