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(a) 하기 화학식 3의 브리지드 실록산 화합물 및 화학식 4의 실록산 화합물, 물(H2O) 및 염산 용액을 혼합하는 단계;(b) 상기 (a) 단계의 혼합물을 상온에서 중합 반응하여 화학식 1의 브리지드 실세스퀴옥산 중합체를 형성하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계의 중합체 조성물을 기판 상에 도포하고, 경화하는 단계;를 포함하는 절연체 박막의 제조 방법
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(a) 하기 화학식 3의 브리지드 실록산 화합물, 물(H2O) 및 염산 용액을 혼합하는 단계;(b) 상기 (a) 단계의 혼합물을 상온에서 중합하여 화학식 2의 브리지드 실세스퀴옥산 중합체를 형성하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계의 중합체 조성물을 기판 상에 도포하고, 경화하는 단계;를 포함하는 절연체 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,R1 및 R21은 서로 독립적으로 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, ter-부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 페닐렌 및 메틸페닐렌으로부터 선택되고; R2 내지 R11 및 R22 내지 R32은 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 및 ter-부틸로부터 선택되는 것을 특징으로 절연체 박막의 제조 방법
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제2항에 있어서,R1 및 R41은 서로 독립적으로 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, ter-부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 페닐렌 및 메틸페닐렌으로부터 선택되고; R2 내지 R7 및 R42 내지 R47은은 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 및 ter-부틸로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 절연체 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 화학식 3 및 화학식 4의 화합물 : H2O : 염산은 몰비로 0
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제2항에 있어서,상기 화학식 3의 화합물 : H2O : 염산은 몰비로 0
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제5항에 있어서,상기 화학식 3 : 화학식 4는 몰비로 10 : 0
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (c) 단계의 도포는 스핀코팅인 것을 특징으로 하는 절연체 박막의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (c) 단계의 중합체 조성물은 유기용매에 희석하는 것을 특징으로 하는 절연체 박막의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 유기용매는 에탄올, 테트라하이드로퓨란, 메틸이소부틸케톤 및 폴리(에틸렌글리콜) 메틸에테르 아크릴레이트로부터 선택되는 것을 특징으로 절연체 박막의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (c) 단계의 경화는 상온 내지 150℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 절연체 박막의 제조 방법
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제1항 또는 제2항 중 선택되는 어느 한 항의 절연체 박막의 제조 방법에 의해 형성되는 절연체 박막
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제12항에 있어서,상기 절연체 박막은 0
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제12항에 있어서,상기 절연체 박막은 유전율이 6
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제12항에 있어서,상기 절연체 박막의 접촉각이 41° 내지 63°인 것을 특징으로 하는 절연체 박막
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제12항 내지 제15항 중 어느 한 항의 절연체 박막을 게이트절연체로 포함하는 유기박막트랜지스터
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