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전하를 트랩할 수 있는 기능성 관능기를 포함하는 하기 화학식 1로부터 선택되는 유기 실란 화합물(A) 및 전하를 트랩할 수 있는 기능성 관능기를 포함하지 않는 하기 화학식 2로부터 선택되는 유기 실란 화합물(B)의 혼합물을 가수분해 및 축합 반응시켜 제조되는 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산계 수지 조성물을 함유하는 용액을 기판 상에 코팅한 후 경화하여 제조되는 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산 고분자 유전체
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제 1 항에 있어서,
상기 화학식 1로부터 선택되는 유기 실란 화합물(A) 및 상기 화학식 2로부터 선택되는 유기 실란 화합물(B)의 혼합비는 A : B = 1 : 0
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제 2 항에 있어서,
상기 실세스퀴옥산계 수지 조성물은 물(C)을 상기 화학식 1로부터 선택되는 유기 실란 화합물(A)에 대하여 A : C = 1 : 0
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삭제
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제 1 항에 있어서,
상기 실세스퀴옥산(silsesquioxane)계 수지 조성물을 함유하는 용액은 알콜류, 에테르류, 케톤류, 또는 에스테류로부터 선택되는 1종 이상의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산 고분자 유전체
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제 1 항에 있어서,
상기 코팅은 스핀코팅, 딥코팅 또는 스프레이 코팅으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산 고분자 유전체
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7
제 1 항에 있어서,
상기 경화시 온도를 100 내지 400℃로 조절하여 트랩 전하량 및 절연막 분자 구조를 변화시키는, 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산 고분자 유전체
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제 7 항에 있어서,
상기 경화 시 온도를 250 내지 400℃로 조절하는 것을 특징으로 하는, 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산 고분자 유전체
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제 1 항에 따른 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산 고분자 유전체를 게이트 절연층에 적용하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 전하 트랩 특성을 가지는 실세스퀴옥산 고분자 유전체를 비휘발성 정보 저장용 또는 회로 튜닝의 용도로 사용하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조방법
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11
제 9 항에 있어서,
상기 전자소자는 유기박막트랜지스터(OTFT), 비활성 메모리, 센서, 로직 회로(logic circuit), 메모리 회로(memory circuit), 튜닝 회로(tunning circuit), 태양 전지(solar cell), 연성 트랜지스터 소자(flexible transistor device), 또는 연성 트랜지스터 메모리(flexible transistor memory)로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조방법
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 전자소자를 집적하여 제조하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조방법
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제 12 항에 있어서,
상기 전자 부품은 플랫 패널 디스플레이(flat panel display), 컨포멀 드시플레이(conformal display), 플렉시블 디스플레이(flexible display), 바이오메디컬 디바이스(biomedical device), 또는 스마트 일렉트로닉 텍스타일(smart electronic textiles)로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법
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