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텔루르 옥사이드 (Tellurium (VI) oxide)와 텅스텐 옥사이드 (Tungsten (VI) oxide)를 고상소결법을 이용하여 텅스텐 텔루라이트(TeO2-WO3)의 타겟을 제조하는 단계; 및 증착 챔버내에서 RF스퍼터링을 이용하여 모재에 상기 타겟의 물질을 증착시켜 텅스텐-텔루라이트 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 텅스텐 텔루라이트의 타겟은 70몰%의 텔루르 옥사이드이고 30몰%의 텅스텐 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 모재를 세척하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 챔버 안의 압력을 3 ×10-6 torr로 하는 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 모재는 실리콘 기판 또는 코닝유리인 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 모재와 상기 타겟 사이의 거리는 7㎝로 유지되는 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 실내 온도가 50℃내지 100℃인 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 공정 압력이 5mTorr내지 15mTorr인 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 증착 챔버내 RF파워는 30W내지 120W인 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 증착시간이 60분인 것을 특징으로 하는 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 광대역 평판형 증폭기
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 광대역 평판형 증폭기
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