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금속 이온들의 전구체가 포함된 용액에 담지된 기준 전극, 상대 전극 및 작업 전극을 준비하는 단계;상기 작업 전극에 하이 레벨의 제1 전압을 인가하는 단계; 및상기 작업 전극에 로우 레벨의 제2 전압을 인가하는 단계를 포함하고,상기 제1 전압 및 상기 제2 전압의 인가는 펄스열의 형태로 주기를 가지고 반복하는 파형을 가지는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 전압의 인가에 의해 상기 작업 전극에 Cu 이온 및 Se 이온이 전착되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 전압은 2초 내지 4초 동안 지속되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 전압의 인가에 의해 상기 작업 전극에 In 이온 및 Ga 이온이 전착되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제4항에 있어서, 상기 제2 전압은 2초 내지 4초 동안 지속되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 펄스열의 반복 인가 이후에 상기 작업전극에 대한 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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7
제6항에 있어서, 상기 열처리는 400℃ 내지 700℃의 온도로 수행되며, 30분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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금속 이온들의 전구체가 포함된 용액에 담지된 기준 전극, 상대 전극 및 작업 전극을 준비하는 단계;상기 작업 전극에 제1 전압을 인가하는 단계;상기 작업 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 레벨을 가지는 제2 전압을 인가하는 단계; 및상기 작업 전극에 상기 제2 전압보다 낮은 레벨을 가지는 제3 전압을 인가하는 단계를 포함하고,상기 제1 전압, 상기 제2 전압 및 제3 전압의 인가는 펄스열의 형태로 주기를 가지고 반복하는 파형을 가지는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 전압의 인가에 의해 Se 이온이 전착되고, 상기 제2 전압의 인가에 의해 Cu 이온이 전착되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 제3 전압의 인가에 의해 Ga 이온 및 In 이온이 전착되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 펄스열의 반복 인가 이후에 상기 작업전극에 대한 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제11항에 있어서, 상기 열처리는 400℃ 내지 700℃의 온도로 수행되며, 30분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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금속 이온들의 전구체가 포함된 용액에 담지된 기준 전극, 상대 전극 및 작업 전극을 준비하는 단계;상기 작업 전극에 Se 이온의 전착을 위한 제1 전압, 상기 제1 전압보다 낮은 레벨을 가지고 Cu 이온의 전착을 위한 제2 전압 및 상기 제2 전압보다 낮은 레벨을 가지고 Ga 이온 및 In 이온의 전착을 위한 제3 전압으로 구성된 스텝 펄스를 인가하는 단계를 포함하고,상기 스텝 펄스의 인가는 주기를 가지고 반복하는 파형을 가지는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제13항에 있어서, 상기 주기를 가지는 상기 스텝 펄스의 반복 인가 이후에 상기 작업전극에 대한 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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제14항에 있어서, 상기 열처리는 400℃ 내지 700℃의 온도로 수행되며, 30분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 형성방법
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