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황화수소 저항성 써멧 수소 분리막에 있어서,산소 이온 전도체;및 수소 투과 금속상을 포함하고,상기 산소 이온 전도체는 소정 입체 형상을 이루고, 전도되는 산소 이온에 의하여 상기 수소 투과 금속상의 황화수소에 의하여 생성되는 금속 황화물이 감소되며, 상기 수소 투과 금속상은, 상기 소정 입체 형상의 산소 이온 전도체 내에 소정 간격으로 분포되어 있어 수소 및 산소가 동시에 확산 가능한 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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제1항에 있어서,상기 수소 투과 금속상은 나노 막대 형상으로 상기 소정 입체 형상의 산소 이온 전도체 내의 소정 간격으로 분포되어 있는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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제2항에 있어서,상기 산소 이온 전도체는, 안정화된 지르코니아, 도핑된 세리아, 페롭스카이트(ABO3, A=2+양이온, B= 3+ or 4+ 양이온), 플로라이트(AO2, A: 4+양이온), 및 K2NiF4 중 어느 하나이고,상기 수소 투과 금속상은 Pd계 금속, Zr 계 금속, Ti 계 금속, V계 금속, 및 Y계 금속 중 어느 하나인 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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제3항에 있어서,상기 수소 투과 금속상 및 상기 산소 이온 전도체의 함유율은 각각 40 내지 60 vol%를 포함하는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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제4항에 있어서,상기 써멧 수소 분리막의 일측면으로 수증기가 공급되면 상기 산소 이온 전도 체를 통하여 상기 수증기로부터 산소이온의 분리 및 타측면으로 의 이동으로 수소가 생성되고,상기 분리막의 타측면으로 황화수소계 화합물이 공급되면 상기 황화수소계 화합물과 수소 투과 금속상과의 반응으로 생성되는 금속 황화물이 상기 이동된 산소 이온과의 반응으로 금속으로 환원하여 상기 생성된 금속 황화물이 감소되는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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황화수소 저항성 써멧 수소 분리막에 있어서,산소 이온 전도체;및 수소 투과 금속상을 포함하고,상기 산소이온 전도체는 전도되는 산소 이온에 의하여 상기 수소 투과 금속상의 황화수소에 의하여 생성되는 금속 황화물이 감소되며, 상기 산소 이온 전도체 및 수소 투과 금속상이 시트 형상으로 이루어져 교차 적층되고 수소 및 산소가 동시에 확산 가능한 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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제7항에 있어서,상기 산소 이온 전도체는, 안정화된 지르코니아, 도핑된 세리아, 페롭스카이트(ABO3, A=2+양이온, B= 3+ or 4+ 양이온), 플로라이트(AO2, A: 4+양이온), 및 K2NiF4 중 어느 하나이고, 상기 수소 투과 금속상은 Pd계 금속, Zr 계 금속, Ti 계 금속, V계 금속, 및 Y계 금속 중 어느 하나인 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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제8항에 있어서,상기 수소 투과 금속상 및 상기 산소 이온 전도체의 함유율은 각각 40 내지 60 vol%를 포함하는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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제9항에 있어서,상기 써멧 수소 분리막의 일측면으로 수증기가 공급되면 상기 산소 이온 전도 체를 통하여 상기 수증기로부터 산소이온의 분리 및 상기 산소이온의 타측면으로의 이동으로 수소가 생성되고,상기 분리막의 타측면으로 황화수소계 화합물이 공급되면 상기 황화수소계 화합물과 상기 수소 투과 금속상과의 반응으로 생성되는 금속 황화물이 상기 이동된 산소이온과의 반응으로 금속으로 환원하여 상기 생성된 금속 황화물이 감소되는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막
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황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법에 있어서,소정 기질 상에 수소 투과 금속상을 소정 간격으로 분포되는 나노 막대 형상으로 성장시키는 단계와;상기 나노 막대 형상의 금속상이 존재하지 않는 영역에 산소 이온 전도체가 채워져 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 형성된 분리막은 수소 및 산소가 동시에 확산 가능한 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 산소 이온 전도체는 , 안정화된 지르코니아, 도핑된 세리아, 페롭스카이트(ABO3, A=2+양이온, B= 3+ or 4+ 양이온), 플로라이트(AO2, A: 4+양이온), 및 K2NiF4 중 어느 하나이고,상기 상기 수소 투과 금속상은 Pd계 금속, Zr 계 금속, Ti 계 금속, V계 금속, 및 Y계 금속 중 어느 하나인 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 수소 투과 금속상 및 상기 산소 이온 전도체의 함유율은 각각 40 내지 60 vol%를 포함하는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 수소 투과 금속상의 성장단계는, AAO 공법을 이용하여 상기 수소 투과 금속상을 나노 막대 형상으로 직립 성장시키는 단계이고,상기 분리막 형성단계는, 상기 산소이온 전도체를 소정 용액에 용해시킨 후 용액 침전법을 이용하여 상기 금속상이 존재하지 않는 영역에 상기 산소 이온 전도체가 채워지도록 하는 단계인 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 형성된 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막은, 상기 써멧 수소 분리막의 일측면으로 수증기가 공급되면 상기 산소 이온 전도체를 통하여 상기 수증기로부터 산소이온의 분리 및 타측면으로의 이동으로 수소가 생성되고,상기 분리막의 타측면으로 황화수소계 화합물이 공급되면 상기 황화수소계 화합물과 상기 수소 투과금속과의 반응으로 생성되는 금속 황화물이 상기 이동된 산소이온과의 반응으로 금속으로의 환원하여 상기 생성된 금속황화물이 감소되는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법에 있어서,수소 투과 금속상 및 산소 이온 전도체를 각각 시트(sheet) 형상으로 준비하는 단계와;상기 금속상 시트와 상기 전도체 시트를 교대로 적층시키는 단계와;상기 적층구조를 소결하여 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막을 제조하는 단계를 포함하는 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 산소 이온 전도체는, 안정화된 지르코니아, 도핑된 세리아, 페롭스카이트(ABO3, A=2+양이온, B= 3+ or 4+ 양이온), 플로라이트(AO2, A: 4+양이온), 및 K2NiF4 중 어느 하나이고,상기 상기 수소 투과 금속상은 Pd계 금속, Zr 계 금속, Ti 계 금속, V계 금속, 및 Y계 금속 중 어느 하나인 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 수소 투과 금속상 및 상기 산소 이온 전도체의 함유율은 각각 40 내지 60 vol%를 포함하는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 형성된 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막은, 상기 써멧 수소 분리막의 일측면으로 수증기가 공급되면 상기 산소 이온 전도체를 통하여 상기 수증기로부터 산소이온의 분리 및 타측면으로의 이동으로 수소가 생성되고,상기 분리막의 타측면으로 황화수소계 화합물이 공급되면 상기 황화수소계 화합물과 상기 수소 투과 금속상과의 반응으로 생성되는 금속 황화물이 상기 이동된 산소이온과의 반응으로 금속으로의 환원하여 상기 생성된 금속 황화물이 감소되는 것인 황화수소 저항성 써멧 수소 분리막의 제조방법
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