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나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015177011
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법은, 플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 상에 산화아연 나노구조물을 제작하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층에 대하여 제1차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판에 대하여 제2차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 및 상기 산화아연 나노구조물에 대하여 제3차 에칭을 수행하는 단계를 포함한다. 이에 의하여 나노패턴이 직접 형성된 플렉서블 기판을 획득할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1020120064797 (2012.06.18)
출원인 전남대학교산학협력단, 제이엘씨(주)
등록번호/일자 10-1417753-0000 (2014.07.03)
공개번호/일자 10-2013-0141809 (2013.12.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
2 제이엘씨(주) 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주 북구
2 김태언 대한민국 전남 나주시 세지면
3 김선훈 대한민국 광주 서구
4 기현철 대한민국 광주 북구
5 김두근 대한민국 광주 광산구
6 강명길 대한민국 광주 남구
7 정성태 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
2 제이엘씨(주) 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0480612-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0008828-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0504203-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0857399-09
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0958929-99
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1069189-24
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1178448-89
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1178485-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0138962-66
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0371528-72
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0371490-25
15 등록결정서
Decision to grant
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378481-79
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서,플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 산화아연 버퍼층 형성단계;상기 산화아연 버퍼층에 일정한 간격으로 산화아연 나노구조물을 형성하는 산화아연 나노구조물 형성단계;상기 일정 간격으로 형성된 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 산화아연 버퍼층을 식각하는 버퍼층 식각단계;상기 일정 간격으로 형성된 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판을 식각하는 플렉서블 기판 식각단계; 및 상기 일정한 패턴으로 남아있는 산화아연 버퍼층 및 산화아연 나노구조물을 식각하여 제거하는 제거단계;를 포함하는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 버퍼층 식각단계 및 상기 플렉서블 기판 식각단계는 이온 에칭, 반응성 이온 에칭 또는 플라즈마 에칭을 수행하여 이루어지고,상기 제거단계는 습식 에칭을 수행하여 이루어지는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 버퍼층 식각단계 및 상기 플렉서블 기판 식각단계는,가스의 종류, 가스의 유량 또는 플라즈마 형성 시 전류에 따라 에칭 형태가 조절되는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 산화아연 나노구조물의 제작단계는,상기 산화아연 버퍼층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계와;레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 소정의 형태로 제1차 노광하는 단계와;상기 플렉서블 기판을 소정 각도로 회전시킨 후 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 소정의 형태로 제2차 노광하는 단계와;상기 포토레지스트층을 현상하여 나노패턴을 형성하는 단계와;수열합성법을 이용하여 상기 플렉서블 기판 상에 상기 산화아연 나노구조물을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 산화아연 나노구조물의 제작단계는,상기 산화아연 나노구조물을 성장시킨 후 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 제1차 노광단계 및 상기 제2차 노광단계는,노광시간을 조절하여 노광되는 포토레지스트층의 너비를 조절하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
7 7
제4항에 있어서,상기 산화아연 나노구조물의 성장단계는,증류수에 전구체를 녹인 전구체 용액을 이용하고, 80 내지 100℃의 온도에서 일정시간 가열하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 산화아연 나노구조물의 성장단계는,상기 전구체 용액의 pH를 조절하여 형성되는 나노구조물의 두께 또는 크기를 조절하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 방법에 의하여 제조되는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.