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반도체 발광 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015177105
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 정전기 보호 구조를 가지는 반도체 발광 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 반도체 발광 소자는 위로부터 순차로 적층된 제1도전형 반도체층, 활성층, 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물과, 발광구조물의 하면에 적층된 전극구조물과, 전극구조물의 전극 중 하나를 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결하기 위하여, 전극구조물의 일부층, 제2도전형 반도체층, 및 활성층을 관통하여 제1도전형 반도체층을 노출시키는 하나 이상의 비아홀을 포함하며, 하나 이상의 비아홀 각각의 둘레의 전극구조물의 일부층 또는 발광구조물 내에 위치하는 둘레 절연막을 구비한다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/44 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020130017037 (2013.02.18)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1458296-0000 (2014.10.29)
공개번호/일자 10-2014-0103542 (2014.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하준석 대한민국 광주 남구
2 오태성 대한민국 서울 양천구
3 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구
4 박준범 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0143371-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0012389-00
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0105632-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0352867-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0352849-22
8 등록결정서
Decision to grant
2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0511158-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
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번호 청구항
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아래로부터 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층이 순차로 적층된 발광구조물을 형성하는 단계;상기 제2도전형 반도체층의 상면에 서로 분리된 하나 이상의 절연막을 형성하는 단계;상기 제2도전형 반도체층의 상면 및 상기 하나 이상의 절연막 상면에 제2전극을 적층 형성하는 단계;각각 상기 제2전극, 상기 하나 이상의 절연막 중 어느 하나, 상기 제2도전형 반도체층, 및 상기 활성층을 관통하여, 바닥부위에서 상기 제1도전형 반도체층을 노출시키는 하나 이상의 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 하나 이상의 절연막 각각은 해당 비아홀 의해 관통되어 비아홀 둘레에 배치되는 둘레 절연막이 되는 것인,반도체 발광 소자 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 하나 이상의 절연막을 형성하는 단계는:상기 제2도전형 반도체층 전면에 절연막을 형성하는 한 후 상기 하나 이상의 비아홀과 대응하는 패턴으로의 패터닝하여 식각하는 공정을 포함하는 것인,반도체 발광 소자 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 제2전극 상과 상기 비아홀의 내측벽면 상에 절연층을 형성하는 단계와,상기 비아홀 내부에 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인,반도체 발광 소자 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 절연층과 상기 둘레 절연막은 서로 접하는 것인,반도체 발광 소자 제조방법
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1 교육과학기술부 홍익대학교 산학협력단 중견연구자사업 고전류밀도 초고휘도 LED용 신개념 패키징 기술 연구