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서로 대향되는 상부 및 하부 기판;상기 상부 및 하부 기판 사이에 형성된 다수의 열전소자를 포함하며, 상기 열전소자는 나노 크기의 P형 반도체 입자와 N형 반도체 입자가 교대로 적층되어 나노 크기의 지름을 갖는 복합재료 기둥으로 이루어진 것을 포함하는 고효율 열전 발전부품
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제 1 항에 있어서,상기 복합재료 기둥은 DOD(Dynamic Oblique Deposition)기법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 발전부품
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제 1 항에 있어서,상기 상부 및 하부 기판은 구리(Cu) 패드로 이루어진 것을 특징으로 하는 고효율 열전 발전부품
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제 1 항에 있어서,상기 다수의 열전소자가 하나의 층으로 형성될 경우, 성능지수는 (여기서, T는 온도차) 의 식으로 표현되고,열전소자의 갯수 N, 기전력값 Vs, P 및 N형 반도체의 열전도도 κ, 전기저항 ρ에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 발전부품
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하부 기판 상에 나노 크기의 P형 반도체 입자와 N형 반도체 입자가 교대로 적층되어 나노 크기의 지름을 갖는 복합재료 기둥을 다수 형성하여 열전소자 층을 형성하는 S10 단계;상기 열전소자 층의 상부에 상부 기판을 적층하여 전기적으로 연결하는 S20 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 발전부품 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 S10 단계에서 열전소자 층은 일정한 각도를 갖고 회전하는 기판 상에 특정재료를 증발시켜 나노 요소 층을 형성하는 DOD(Dynamic Oblique Deposition)기법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 발전부품 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 특정재료는 P형 반도체 또는 N형 반도체인 것을 특징으로 하는 고효율 열전 발전부품 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 하부 기판 및 상부 기판은 구리(Cu) 패드로 이루어진 것을 특징으로 하는 고효율 열전 발전부품 제조방법
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