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태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015177132
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광흡수층으로서 CZTS를 기반으로 하는 슈퍼스트레이트 구조의 태양전지가 개시된다. 이는 투명기판과 투명기판 상에 배치된 투명성 제1전극층과, 제1전극층 상에 배치된 버퍼층과, 버퍼층 상에 배치된 광흡수층과, 광흡수층에 연결되도록 배치된 제2전극층을 포함한다. 이러한 태양전지는 Mo 물질의 사용이 배제되기 때문에 원천적으로 Mo(S,Se)2와 같은 절연 중간층이 생성되지 않기 때문에 높은 효율을 가질 수 있게 된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130102638 (2013.08.28)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1481912-0000 (2015.01.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주 북구
2 신승욱 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정용 대한민국 대전 유성구
4 문종하 대한민국 광주 북구
5 파틸 인도 광주 북구
6 조은애 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0787182-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378892-20
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0728378-93
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0898573-23
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판;상기 투명기판 상에 배치된 투명성 제1전극층;상기 제1전극층 상에 배치된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 배치된 광흡수층; 및 상기 광흡수층에 연결되도록 배치된 제2전극층;을 포함하는,태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 광흡수층은 CZTS 기반의 물질층인 것인,태양전지
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1전극층은 ITO, FTO, 또는 Al 또는 Ga가 도핑된 ZnO인 것인,태양전지
4 4
투명기판 상에 투명성 제1전극층을 형성하는 단계;상기 제1전극층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층과 연결되는 제2전극층을 형성하는 단계;를 포함하는,태양전지 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 투명성 전극층은 ITO, FTO, 또는 Al 또는 Ga가 도핑된 ZnO로 형성하는 것인,태양전지 제조방법
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 광흡수층의 형성은,상기 버퍼층 상에 Cu-Zn-Sn-S를 포함하는 전구체 박막을 형성한 후 열처리하여 CZTS 기반의 광흡수층을 합성하는 것인,태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.