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이온전도도와 투과도 특성이 개선된 고분자 복합막 및 이를 포함하는 레독스 흐름전지

  • 기술번호 : KST2015177202
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온 전도도가 높고, 투과도가 낮으며, 막의 안정성이 우수한 새로운 고분자 전해질 복합막 및 이러한 고분자 전해질 복합막의 제조방법과 이를 포함하는 레독스 흐름전지를 제공하는 것에 관한 것으로, 구체적으로는 수소전도성을 갖는 술폰화된 탄화수소계 제 1 고분자 95 내지 99 중량%와 불소계 소수성 제 2 고분자를 1 내지 5 중량% 포함하는 고분자 혼합물;과 상기 고분자 혼합물 100 중량부에 대해, 술폰화된 실리카 1 내지 10 중량부 및 양친성 계면활성제 0.01 내지 20 중량부를 포함하는 고분자 전해질 복합막과 이를 제조하는 방법을 제시하며, 투과도가 낮고 고이온 전도성과 내구성이 유지되는 효과가 있다.
Int. CL H01M 8/18 (2015.01) H01M 8/10 (2006.01)
CPC H01M 8/102(2013.01) H01M 8/102(2013.01) H01M 8/102(2013.01)
출원번호/일자 1020130144766 (2013.11.26)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0060394 (2015.06.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송요순 대한민국 광주광역시 광산구
2 정호영 대한민국 광주광역시 북구
3 김민우 대한민국 광주광역시 북구
4 조민선 대한민국 전라남도 목포시 삼학로 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1079236-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-5019064-18
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2014.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0149991-91
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0086844-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0216873-43
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0527503-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0527482-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0745934-04
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수소이온 전도성을 갖는 술폰화된 탄화수소계 제 1 고분자 95 내지 99 중량%와 불소계 소수성 제 2 고분자를 1 내지 5 중량% 포함하는 고분자 혼합물;과 상기 고분자 혼합물 100 중량부에 대해, 술폰화된 실리카 1 내지 10 중량부 및 양친성 계면활성제 0
2 2
제1항에 있어서,상기 술폰화된 실리카는 실리카의 표면의 관능기 중 -OH기가 부분적으로 -SO3H기로 치환된 것이고, 실리카 입자의 지름이 50 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
3 3
제2항에 있어서,상기 술폰화된 실리카는 적어도 1종 이상의 -OH기를 갖는 친수성 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
4 4
제1항에 있어서,상기 제 1 고분자는 방향족 화합물 사이에 술폰 그룹 또는 케톤 그룹이 도입된 반복 단위가 에테르 결합으로 연결된 방향족 화합물이고, 상기 방향족 화합물은 적어도 1종 이상의 술폰산 그룹 또는 술폰산염 치환기를 갖는 단위 사슬이 일정간격으로 이격되어 배치된 술폰화된 방향족 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
5 5
제4항에 있어서,상기 술폰산 그룹 또는 술폰산염 치환기의 단위 사슬은 상기 제 1 고분자 내에서 1 내지 70 몰%의 범위로 포함되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
6 6
제1항에 있어서,상기 제 2 고분자는 비닐리덴플루오라이드, 헥사플루오로프로필렌, 트리플루오로에틸렌 또는 테트라플루오로에틸렌의 단량체가 중합된 불소계 고분자를 적어도 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
7 7
제1항에 있어서,상기 양친성 계면활성제는 하이드록실 그룹을 갖는 적어도 1종 이상의 친수성 세그먼트와 소수성 세그먼트를 동시에 갖는 양친성 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,무가습 상태에서 상기 고분자 전해질 복합막의 두께는 5 ~ 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
9 9
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 전해질 복합막의 제조방법으로서, 상기 제 1 고분자와 술폰화된 실리카 및 제 2 고분자를 혼합하여 제 1 혼합액을 형성하는 단계; 상기 제 1 혼합액에 양친성 계면활성제를 혼합하여 제 2 혼합액을 형성하는 단계; 상기 제 2 혼합액을 캐스팅하는 단계; 상기 캐스팅하는 단계 후, 40 내지 60 ℃의 온도에서 적어도 24시간 이상 건조하여 복합막 전구체를 얻는 단계; 및 상기 복합막 전구체를 50 내지 140 ℃의 온도 및 감압 조건에서 건조하는 단계;를 포함하는 고분자 전해질 복합막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 설폰화된 실리카 입자는, 분산제를 미리 녹인 수용액에 TEOS : MPTMS를 9
11 11
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 전해질 복합막을 포함하는 레독스 흐름 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.