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다공성지지체 막;상기 다공성지지체 막을 둘러싸서 형성되는 함침층; 및상기 함침층 상에 형성되는 코팅층;을 포함하는데, 상기 함침층은 술폰화고분자 및 양친성고분자를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 지지체 막은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리벤지미다졸(PBI), 폴리이미드(PI), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVdF), 폴리비닐클로라이드(PVC), 또는 이들의 단량체가 중합된 공중합고분자로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 고분자물질을 포함하고 직경이 10 nm 이상인 기공이 형성된 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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제 1 항에 있어서,상기 술폰화고분자는 나피온(Nafion), 플레미온, 아시플렉스, 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 주쇄에 폴리스타일렌술포닉엑시드(PSSA)를 그라프트 시킨 고분자, 폴리비닐리덴디플루오라이드(PVdF) 주쇄에 폴리스타일렌술포닉엑시드(PSSA)를 그라프트 시킨 고분자, 술폰화된 폴리술폰, 술폰화된 폴리아릴렌에테르술폰, 술폰화된 폴리에테르에테르술폰, 술폰화된 폴리에테르술폰, 술폰화된 폴리이미드, 술폰화된 폴리이미다졸, 술폰화된 폴리벤지이미다졸, 술폰화된 폴리에테르벤지이미다졸, 술폰화된 폴리아릴렌에테르케톤, 술폰화된 폴리에테르에테르케톤, 술폰화된 폴리에테르케톤, 술폰화된 폴리에테르케톤케톤, 술폰화된 폴리스타이렌, 술폰화된 폴리페닐렌옥사이드, 술폰화된 폴리다이메틸페닐렌옥사이드, 술폰화된 폴리다이에틸페닐렌옥사이드, 술폰화된 폴리다이페닐페닐렌옥사이드, 브롬화된 폴리페닐렌옥사이드 술폰산, 브롬화 폴리다이메틸페닐렌옥사이드 술폰산, 브롬화 폴리다이에틸페닐렌옥사이드 술폰산, 브롬화 폴리다이페닐페닐렌옥사이드 술폰산로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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제 1 항에 있어서,상기 양친성 고분자는 하이드록실 그룹을 갖는 적어도 하나 이상 친수성 세그먼트와 소수성 세그먼트를 동시에 갖는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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제 1 항에 있어서,상기 술폰화 고분자는 수평균 분자량(Mn)이 1,000 ~ 1,000,000이고, 중량평균 분자량(Mw)은 10,000 ~ 1,000,000인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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다공성지지체 막;상기 다공성지지체 막을 둘러싸서 형성되는 함침층; 및상기 함침층 상에 형성되는 코팅층;을 포함하는데, 상기 코팅층은 불소계고분자 및 나노 포러스 무기입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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제 7 항에 있어서,상기 나노 포러스 무기입자는 실리카, 알루미나, 지르코니아, 제올라이트, 티타늄, 그래핀옥사이드로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 물질에 기공이 형성된 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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제 7 항에 있어서,상기 나노 포러스 무기입자는 표면의 관능기 중 -OH기가 부분적으로 -SO3H기로 치환된 것이고, 입자의 기공 지름이 0
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제 7 항에 있어서, 상기 불소계 고분자는 나피온, 아시플렉스, 플레미온, 폴리비닐리덴플루오라이드, 헥사플루오로프로필렌, 트리플루오로에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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제 1 항에 있어서,무가습 상태에서 상기 고분자전해질 다공성복합막의 두께는 5 ~ 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막
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다공성지지체 막을 준비하는 단계;상기 다공성지지체 막에 준비된 함침층용 고분자용액으로 함침층을 형성하는 단계; 및상기 함침층 상에 준비된 코팅층용 나노입자분산용액으로 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 고분자전해질 다공성복합막 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 다공성지지체 막을 준비하는 단계는 상기 다공성지지체 막을 알코올, 아세톤, 아세트산, 황산, 질산, 염산, 옥살산, 과산화수소수로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 용액으로 세척하는 전처리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 함침층용 고분자용액은 용매에 술폰화고분자 및 양친성고분자가 균일하게 분산된 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 함침층을 형성하는 단계는 상기 다공성지지체 막을 상기 함침층용 고분자용액에 함침시키는 단계 및 상기 함침된 다공성지지체 막의 양면을 다이캐스팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 코팅층용 나노입자분산용액은 불소계고분자용액에 나노 포러스 무기입자가 분산된 것을 특징으로 하는 고분자전해질 다공성복합막 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 나노 포러스 무기입자는 표면의 관능기 중 -OH기가 부분적으로 -SO3H기로 치환된 것이고, 입자의 기공 지름이 0
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제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 고분자전해질 다공성복합막 또는 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 고분자전해질 다공성복합막을 포함하는 에너지 저장장치
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제 18 항에 있어서,상기 에너지 저장장치는 이차전지 또는 연료전지인 것을 특징으로 하는 에너지 저장장치
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제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 고분자전해질 다공성복합막 또는 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 고분자전해질 다공성복합막을 포함하는 수처리장치
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