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기판 재생 방법 및 재생 기판

  • 기술번호 : KST2015177320
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 재생 방법 및 재생 기판이 개시된다. 이 방법은, 에피층으로부터 분리된 표면을 갖는 기판을 준비하고, 기판 표면을 전기화학식각 기술을 이용하여 식각하고, 전기화학식각 기술을 이용하여 식각된 표면을 화학식각 기술을 이용하여 식각하는 것을 포함한다. 이에 따라, 양호한 성장 표면을 갖도록 기판을 재생할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020120132379 (2012.11.21)
출원인 서울바이오시스 주식회사, 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1984934-0000 (2019.05.27)
공개번호/일자 10-2014-0065167 (2014.05.29) 문서열기
공고번호/일자 (20190903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.17)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허정훈 대한민국 경기 안산시 단원구
2 최주원 대한민국 경기 안산시 단원구
3 김창연 대한민국 경기 안산시 단원구
4 김영욱 대한민국 경기 안산시 단원구
5 류상완 대한민국 경기 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울바이오시스 주식회사 경기도 안산시 단원구
2 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0960077-62
2 보정요구서
Request for Amendment
2012.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0140821-18
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-1073193-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1143566-08
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0060197-10
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0302207-10
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0607508-21
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0607465-56
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0821321-02
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0080490-61
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0080493-08
20 등록결정서
Decision to grant
2019.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0154278-03
21 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5022127-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에피층으로부터 분리된 표면을 갖는 기판을 준비하고;상기 기판 표면을 전기화학식각 기술을 이용하여 식각하고;상기 전기화학식각 기술을 이용하여 식각된 표면을 화학식각 기술을 이용하여 식각하는 것을 포함하되, 상기 분리된 표면을 갖는 기판은 표면에 희생층을 가지며, 상기 희생층 하부에 식각 방지층을 포함하고,상기 희생층은 n형 질화갈륨계 반도체층을 포함하고, 상기 식각 방지층은 언도프트 질화갈륨계 반도체층을 포함하는 기판 재생 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 화학식각에 의해 상기 n형 질화갈륨계 반도체층이 식각되어 제거되고 상기 언도프트 질화갈륨계 반도체층이 노출되는 기판 재생 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 전기화학식각에 의해 상기 n형 질화갈륨계 반도체층에 미세 기공들이 형성되는 기판 재생 방법
7 7
에피층으로부터 분리된 표면을 갖는 기판을 준비하고;상기 기판 표면을 전기화학식각 기술을 이용하여 식각하고;상기 전기화학식각 기술을 이용하여 식각된 표면을 화학식각 기술을 이용하여 식각하는 것을 포함하되, 상기 분리된 표면은 돌출부와 오목부를 포함하고, 상기 돌출부는 상기 오목부에 비해 상대적으로 평탄한 표면을 갖는 기판 재생 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 아일랜드 형상 또는 메쉬 형상으로 형성된 기판 재생 방법
9 9
에피층으로부터 분리된 표면을 갖는 기판을 준비하고;상기 기판 표면을 전기화학식각 기술을 이용하여 식각하고;상기 전기화학식각 기술을 이용하여 식각된 표면을 화학식각 기술을 이용하여 식각하는 것을 포함하되, 상기 화학식각을 수행하기 전에, 상기 분리된 표면을 갖는 기판의 측면을 덮는 측면 식각 방지막을 형성하는 것을 더 포함하는 기판 재생 방법
10 10
청구항 1, 및 청구항 5 내지 청구항 9의 어느 한 항에 있어서, 상기 분리된 표면을 갖는 기판은 초기 기판을 포함하되, 상기 초기 기판은 사파이어 기판 또는 질화갈륨 기판인 기판 재생 방법
11 11
청구항 1, 및 청구항 5 내지 청구항 9의 어느 한 항에 있어서, 상기 전기화학식각은 옥살산 용액을 이용하여 10 내지 100V의 전압을 인가하여 수행되는 기판 재생 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 화학식각은 NaOH 또는 KOH를 포함하는 용액을 이용하여 수행되는 기판 재생 방법
13 13
상대적으로 평탄한 표면 및 상대적으로 거친 표면이 규칙적으로 정렬된 표면을 갖는 기판을 준비하고;상기 기판 표면을 전기화학식각 기술을 이용하여 식각하고;상기 전기화학식각 기술을 이용하여 식각된 표면을 화학식각 기술을 이용하여 식각하는 것을 포함하는 기판 재생 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 평탄한 표면은 스트라이프 형상, 아일랜드 형상 또는 메쉬 형상으로 정렬된 기판 재생 방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 기판 표면은 n형 질화갈륨계 반도체층의 표면인 기판 재생 방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 기판은 n형 질화갈륨계 반도체층 하부에 언도프트 질화갈륨계 반도체층을 더 포함하는 기판 재생 방법
17 17
상부에 n형 질화갈륨계 반도체층을 포함하는 기판을 준비하고;상기 n형 질화갈륨계 반도체층을 전기화학식각 기술을 이용하여 식각하고;상기 전기화학식각 기술을 이용하여 식각된 상기 n형 질화갈륨계 반도체층을 화학식각 기술을 이용하여 식각하는 것을 포함하되, 상기 기판은 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 하부에 위치하는 언도프트 질화갈륨계 반도체층을 더 포함하고,상기 언도프트 질화갈륨계 반도체층은 상기 화학식각에 의해 노출되는 기판 재생 방법
18 18
삭제
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층은 평탄한 표면 및 거친 표면을 포함하되, 상기 평탄한 표면이 상기 거친 표면보다 위로 돌출된 기판 재생 방법
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02736068 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02736068 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02736068 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP06234787 JP 일본 FAMILY
5 JP26103397 JP 일본 FAMILY
6 KR102052179 KR 대한민국 FAMILY
7 US09373496 US 미국 FAMILY
8 US20140138702 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2014103397 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6234787 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.