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질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에SrTi03/BaTi03 인공초격자를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015177345
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si) 기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계 및 상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판 상에 에피성장할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 결정성이 우수할 뿐만 아니라 유전상수를 증가시켜 전기적 특성이 우수한 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제조할 수 있는 이점을 제공한다.펄스레이저증착(PLD)장치, SrTiO3/BaTiO3 인공초격자, 질화티타늄(TiN) 버퍼층
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01)
출원번호/일자 1020060070782 (2006.07.27)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0740318-0000 (2007.07.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태언 대한민국 전남 나주시 세지
2 김보람 대한민국 광주 북구
3 문종하 대한민국 광주 광산구
4 이병택 대한민국 광주 북구
5 김진혁 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0541949-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0027073-97
4 등록결정서
Decision to grant
2007.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0287002-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
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번호 청구항
1 1
펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si) 기판을 제공하는 단계;상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계; 및상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하여 인공초격자를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 질화티타늄 버퍼층 증착단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 650 내지 750℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 질화티타늄 버퍼층 증착단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 700℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 300 내지 750℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 650℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 챔버 내의 산소분압은 1m torr인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계는 멀티타깃을 이용하여 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 진공을 깨지않고 연속하여 증착하는 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.