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펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si) 기판을 제공하는 단계;상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계; 및상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하여 인공초격자를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 질화티타늄 버퍼층 증착단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 650 내지 750℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 질화티타늄 버퍼층 증착단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 700℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 300 내지 750℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 650℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 챔버 내의 산소분압은 1m torr인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계는 멀티타깃을 이용하여 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 진공을 깨지않고 연속하여 증착하는 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자
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