맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

ＡＷＧ 소자의 중심 파장 트리밍 방법

  • 기술번호 : KST2015177382
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 실리카 하부 클래드층, 코어 및 폴리머 상부 클래드층을 포함하는 도파로를 형성하고, 폴리머 상부 클래드층의 일부 영역에 자외선(UV 레이저 광)을 조사하여 폴리머 상부 클래드층의 굴절률을 변화시킴으로써, 파장이 변화하여 온도 조절 장치를 사용하지 않고도 중심 파장을 트리밍할 수 있다. 더욱이, 제작과정에서 AWG의 ΔL(인접한 어레이 도파로 간의 길이차)가 설계대로 만들어지지 않고 치수가 서로 달라 불량이 발생한 경우 UV 레이저 광의 조사로 굴절율을 조절(trimming)하여 원하는 규격(spec)의 중심 파장을 얻을 수 있다. 광도파로, 굴절률, UV 레이저 광, 트리밍, AWG, 온도무의존형
Int. CL G02B 6/28 (2006.01) G02B 6/26 (2006.01)
CPC G02B 6/29301(2013.01) G02B 6/29301(2013.01) G02B 6/29301(2013.01) G02B 6/29301(2013.01) G02B 6/29301(2013.01) G02B 6/29301(2013.01)
출원번호/일자 1020060031818 (2006.04.07)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0786407-0000 (2007.12.10)
공개번호/일자 10-2007-0078359 (2007.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20071217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060007508   |   2006.01.26
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.07)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백세종 대한민국 광주 광산구
2 임기건 대한민국 광주 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0243912-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0012745-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0336069-66
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0601433-86
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0601467-27
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0496389-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 클래드층을 형성하는 단계;상기 하부 클래드층 상에 소정의 패턴으로 코어를 형성하는 단계;상기 코어 상에 폴리머 물질로 상부 클래드층을 형성하는 단계; 및상기 상부 클래드층의 굴절률을 변화시켜 중심 파장을 트리밍하기 위하여 상기 상부 클래드층의 일부 영역에 UV 레이저 광을 조사하는 단계를 포함하며,상기 하부 클래드층 및 상기 코어가 실리카로 형성되는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기판이 실리카 성분으로 이루어진 경우 상기 기판을 열산화 공정으로 산화시켜 상기 하부 클래드층을 형성하는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 코어는 화염가수 분해법으로 형성된 실리카막을 유도 결합 플라즈마 장비를 이용한 건식식각 방식으로 패터닝하여 형성하는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 폴리머 상부 클래드층은 폴리머 물질을 스핀코팅한 후 열경화 공정을 실시하여 형성하는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 스핀 코팅은 200rpm ~ 3000 rpm 정도의 속도로 실시하며, 상기 폴리머 물질은 5㎛ ~ 20 ㎛ 정도의 두께로 형성되는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
7 7
제 1 항, 제 5 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 폴리머 물질로 플루오리네이트 폴리에테르 계열, 아크릴레이트 계열, 실리콘 레진 계열, 폴리이미드 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄 계열의 물질이 사용되는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 UV 레이저 광을 조사하여 상기 중심 파장을 ± 0
9 9
기판 상에 하부 클래드층, 코어 및 폴리머 상부 클래드층을 순차적으로 형성하여 입력 도파로, 어레이 도파로, 및 출력 도파로를 포함하는 AWG 소자가 형성되는 단계; 및 상기 어레이 도파로에 포함된 상기 폴리머 상부 클래드층의 일부분의 굴절률이 변화되도록 UV 레이저 광을 조사하여 중심 파장을 트리밍하는 단계를 포함하되,상기 하부 클래드층 및 상기 코어가 실리카로 형성되는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 폴리머 물질로 플루오리네이트 폴리에테르 계열, 아크릴레이트 계열, 실리콘 레진 계열, 폴리이미드 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄 계열의 물질이 사용되는 온도 무의존성 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 UV 레이저 광을 조사하여 상기 중심 파장을 ± 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.