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산소 또는 수소 이온 전도성을 가지는 치밀질 전해질; 상기 치밀질 전해질 양 측면에 형성되는 한 쌍의 이온화 금속 촉매; 및상기 한 쌍의 이온화 금속 촉매를 연결하여 전자 전도성을 가지는 전자전도 회로를 포함하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 치밀질 전해질이 산소 이온 전도성을 갖는 경우, 상기 치밀질 전해질은 YSZ(8mol% Y-doped zirconia), GDC(Gd-doped ceria) 또는 LGO(doped-LaGaO3) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 치밀질 전해질이 수소 이온 전도성을 갖는 경우, 상기 치밀질 전해질은 BCY(Y-doped BaCeO3) 또는 BZY(Y-doped BaZrO3)인 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 치밀질 전해질은 평판형 또는 튜브형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 한 쌍의 이온화 금속 촉매 및 전자전도 회로는 백금(Pt)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막
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산소 또는 수소 이온 전도성을 가지는 치밀질 전해질 준비단계;상기 치밀질 전해질 양 측면에 이온화 금속 촉매 형성단계; 상기 한 쌍의 이온화 금속 촉매를 연결하는 단계; 및상기 금속 촉매가 연결된 치밀질 전해질을 열처리하는 단계를 포함하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 치밀질 전해질이 산소 이온 전도성을 갖는 경우, 상기 치밀질 전해질은 YSZ(8mol% Y-doped zirconia), GDC(Gd-doped ceria) 또는 LGO(doped-LaGaO3) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 치밀질 전해질이 수소 이온 전도성을 갖는 경우, 상기 치밀질 전해질은 BCY(Y-doped BaCeO3) 또는 BZY(Y-doped BaZrO3)인 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 이온화 금속 촉매 형성단계는 촉매 형성 패턴을 가지는 스크린을 이용하여 도포하고 형성시키는 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막 제조방법
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10
제 6 항에 있어서,상기 이온화 금속 촉매는 백금(Pt) 페이스트로 도포되는 것을 특징으로 하는 치밀질 혼합전도성 기체 분리막 제조방법
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