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양극산화 템플릿을 이용한 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015177475
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양극산화 플레이트를 이용하여 제조되는 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 제조방법이 개시된다. 하부구조의 후면전극층 상에 알루미늄을 적층한 후 양극산화를 통해 다수개의 나노홀 또는 다수개의 나노기둥을 가지는 템플릿을 형성한다. 템플릿의 다수개의 나노홀 또는 다수개의 나노기둥에 CZTS 전구체물질을 충전시킨 후 템플릿을 제거하여 전구체박막을 형성한다. 전구체박막을 황화 또는 셀렌화 분위기에서 열처리하여 3차원 구조의 광흡수층을 형성한다. 나아가, 열처리를 수행하기 전에 양극산화 중에 후면전극층 상에 형성된 산화물을 제거한 후 상술한 열처리를 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130126536 (2013.10.23)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1562435-0000 (2015.10.15)
공개번호/일자 10-2015-0047661 (2015.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20151022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.23)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주 북구
2 신승욱 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정용 대한민국 대전 유성구
4 문종하 대한민국 광주 북구
5 김민성 대한민국 전라남도 강진군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0958599-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0075875-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0642422-67
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1132133-81
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1245766-88
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0061989-03
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0061988-57
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0329213-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.06.19 수리 (Accepted) 7-1-2015-0027775-37
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0688595-01
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.07.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0688596-46
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0501905-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a) 투명 기판과 상기 투명 기판 상에 형성된 후면전극층으로서 Mo를 포함하는 하부구조 상에 Al층 또는 Al을 포함하는 금속층을 형성하는 단계;(b) 상기 Al층 또는 Al을 포함하는 금속층을 양극산화하여 다수개의 홀 또는 다수개의 기둥을 가지며, 저면에 상기 후면전극층을 노출하는 템플릿을 형성하는 단계;(c) 광흡수층을 위한 전구체물질을 상기 템플릿에 충진하여 상기 다수개의 홀 내부에 충진되거나 상기 다수개의 기둥을 둘러싸는 광흡수층을 위한 전구체막을 형성하는 단계;(d) 상기 템플릿을 제거하는 단계;(e) 상기 광흡수층을 위한 전구체막을 황화 또는 셀렌화 분위기에서 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 광흡수층과 상기 후면전극층을 포함하는 전체면에 버퍼층, 윈도우층, 및 전극을 순차로 형성하는 단계;를 포함하고,상기 광흡수층은 CZTS(Cu, Zn, Sn, 및 S 또는 Se) 기반 물질을 포함하고,상기 단계 (d)와 (e) 사이에 상기 Mo의 후면전극층의 표면의 산화물인 MoO를 암모니아 용액을 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 것인,3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조 방법
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