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고순도 실리콘의 회수방법

  • 기술번호 : KST2015177477
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폐 태양광 셀 또는 불량 태양광 셀로부터 고순도 실리콘의 회수방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고순도 실리콘의 회수방법은 태양광 셀을 산성 용액에 침지시켜 제1차로불순물을 제거하는 단계와; 상기 제1차 불순물이 제거된 태양광 셀을 염기성 용액에 침지시켜 제2차로 불순물을 제거하는 단계와; 상기 제2차 불순물이 제거된 태양광 셀의 세척을 수행한 후 고순도 실리콘을 회수하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, 폐 태양광 셀/불량 태양광 셀로부터 단순한 공정으로 고순도의 실리콘을 회수할 수 있어, 추후 태양광(태양전지)의 원재료로 이용할 수 있어 상당히 경제적이다.
Int. CL C01B 33/04 (2006.01) B01J 19/10 (2006.01)
CPC C01B 33/037(2013.01) C01B 33/037(2013.01)
출원번호/일자 1020130008289 (2013.01.24)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0095376 (2014.08.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김명준 대한민국 광주 북구
2 트란탐 오스트레일리아 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0071897-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0157252-77
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103025-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0125992-21
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0361313-84
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0361329-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0581957-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1004929-93
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1004930-39
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0135369-10
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0308348-28
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.03.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0308349-74
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0309104-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고순도 실리콘의 회수방법에 있어서,태양광 셀을 산성 용액에 침지시켜 제1차로불순물을 제거하는 단계와;상기 제1차 불순물이 제거된 태양광 셀을 염기성 용액에 침지시켜 제2차로 불순물을 제거하는 단계와;상기 제2차 불순물이 제거된 태양광 셀의 세척을 수행한 후 고순도 실리콘을 회수하는 단계를 포함하는 고순도 실리콘의 회수방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산성 용액은, 산의 농도가 0
3 3
제2항에 있어서,상기 산성 용액은, 상기 태양광 셀의 1 내지 10배의 부피비로 처리되는 것인 고순도 실리콘의 회수방법
4 4
제3항에 있어서,상기 산은, 질산을 포함하는 고순도 실리콘의 회수방법
5 5
제4항에 있어서,상기 염기성 용액은, 염기의 농도가 0
6 6
제5항에 있어서,상기 염기성 용액은, 상기 태양광 셀의 1 내지 10배의 부피비로 처리되는 것인 고순도 실리콘의 회수방법
7 7
제6항에 있어서,상기 염기는, 수산화나트륨을 포함하는 고순도 실리콘의 회수방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제1차 불순물 제거단계 및 상기 제2차 불순물 제거단계는,초음파 세척장치를 이용하여 40 내지 80℃의 온도에서 10분 내지 120분 동안 상기불순물을 침출시키는 것인 고순도 실리콘의 회수방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제1차 불순물 제거단계는,40 내지 80℃의 온수를 이용하여 세척하는 단계를 더 포함하는 고순도 실리콘의 회수방법
10 10
제9항에 있어서,상기 고순도 실리콘회수단계에서 상기 세척은, 40 내지 80℃의 온수를 이용하여 세척하는 것인 고순도 실리콘의 회수방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 전남대학교산학협력단 차세대 에코 이노베이션기술개발사업 태양전지 폐 모듈로부터 실리콘 및 유가 금속 회수기술개발