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형광체를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015177481
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 형광체를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 태양전지는하부전극, 상기 하부전극 상에 배치되는 패턴 형광체층, 상기 패턴 형광체층의 전면에 배치되는 광흡수층, 상기 광흡수층 상에 배치되는 투명전극층 및 상기 투명전극층 상에 배치되는 상부전극을 포함하고, 상기 태양전지의 제조방법은 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계, 상기 하부전극 상에 패턴 형광체층을 형성하는 단계, 상기 패턴 형광체층의 전면에 광흡수층을 형성하는 단계, 상기 광흡수층 상에 투명전극층을 형성하는 단계 및 상기 투명전극층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여, 광흡수층에 흡수되지 않고 하부전극에 도달하여 반사되는 특정 파장 대역의 광을 흡수한 후, 약 500nm ∼ 800nm의 가시광선 파장 대역의 광으로 파장 변환시켜 광흡수층에 공급함으로써, 태양전지의 광전류 밀도를 증가시키고, 이로써 광전 변환효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/055(2013.01) H01L 31/055(2013.01) H01L 31/055(2013.01) H01L 31/055(2013.01) H01L 31/055(2013.01) H01L 31/055(2013.01)
출원번호/일자 1020120118705 (2012.10.24)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0056414 (2014.05.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주 북구
2 임원빈 대한민국 광주 북구
3 신승욱 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0869373-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1005233-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0265208-53
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0594429-17
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0594430-64
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0701620-67
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1148954-16
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.11.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1148955-51
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0801655-77
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번호 청구항
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기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 패턴 형광체층을 형성하는 단계;상기 패턴 형광체층의 전면에 스퍼터링법, 진공증착법 또는 급속 열처리법으로 CIGS(CuIn1-xGaxSe2, 0＜x＜1)의 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 투명전극층을 형성하는 단계; 및상기 투명전극층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 패턴 형광체층을 형성하는 단계는, 상기 하부전극 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴 사이로 노출된 하부전극 상에 형광체를 도입시키는 단계와, 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여, 상기 패턴 형광체층은 상기 하부전극 상에 돌출된 패턴 구조를 가지며,상기 패턴 형광체층에 함유된 형광체는 350nm 이하의 파장 대역의 광 또는 1000nm 이상의 파장 대역의 광을 흡수하여, 상기 형광체는 500nm ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 방출하며,상기 하부전극은 Mo, Al, Au, Cu, Pt, Ag, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd 및 Pd 중에서 선택되는 적어도 어느 하나로 형성되어 광을 반사하는 것인, 태양전지의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 형광체를 도입시키는 단계는, 스퍼터링법 또는 펄스 레이저 증착법을 이용하여 수행되는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.