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1
기판 상에 형성된 제1 n-GaN층;상기 제1 n-GaN층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p-GaN층;상기 p-GaN층 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 n-GaN층 상의 노출된 영역에 형성된 제2 전극; 및상기 제1 n-GaN층과 상기 활성층 사이에 형성된 제1 나노포러스 클래딩층을 포함하고,상기 제1 나노포러스 클래딩층은 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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2
제1항에 있어서,상기 제1 나노포러스 클래딩층은,상기 n-GaN층의 전기화학적 식각이 수행되지 않은 제2 n-GaN층; 및상기 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 가지는 제1 나노포러스 GaN층을 더 포함하고, 상기 제1 나노포러스 GaN층과 상기 제2 n-GaN층은 동일 레이어(layer)를 이루며, 상기 제2 n-GaN층의 도판트 농도는 상기 제1 나노포러스 GaN층의 도판트 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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3
제2항에 있어서,상기 제2 n-GaN층은 상기 제1 나노포러스 클래딩층의 중심 부위에 배치되고, 상기 제1 나노포러스 GaN층은 상기 제2 n-GaN층의 외곽에 배치되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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4
제1항에 있어서,상기 제1 나노포러스 클래딩층은,상기 n-GaN층의 전기화학적 식각이 수행되지 않은 제2 n-GaN층; 및상기 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 가지는 제1 나노포러스 GaN층의 산화에 의해 형성되는 절연막을 더 포함하고, 상기 절연막과 상기 제2 n-GaN층은 동일 레이어(layer)를 이루는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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5
제1항에 있어서,상기 레이저 다이오드는,상기 p-GaN층 및 상기 제1 전극 사이에 배치된 제2 나노포러스 클래딩층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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6
제5항에 있어서,상기 제2 나노포러스 클래딩층은,상기 n-GaN층의 전기화학적 식각이 수행되지 않은 제3 n-GaN층; 및상기 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 가지는 제2 나노포러스 GaN층을 더 포함하고, 상기 제2 나노포러스 GaN층과 상기 제3 n-GaN층은 동일 레이어(layer)를 이루며, 상기 제3 n-GaN층의 도판트 농도는 상기 제2 나노포러스 GaN층의 도판트 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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7
제6항에 있어서,상기 제3 n-GaN층은 상기 제2 나노포러스 클래딩층의 중심 부위에 배치되고, 상기 제2 나노포러스 GaN층은 상기 제3 n-GaN층의 외곽에 배치되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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8
제5항에 있어서,상기 레이저 다이오드는,상기 p-GaN층 및 상기 제2 나노포러스 클래딩층 사이에 터널접합층을 더 포함하고, 상기 터널접합층은 상기 p-GaN층 상에 p+ GaN층이 형성되고, 상기 p+ GaN층 상에 n+ GaN층이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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9
제5항에 있어서,상기 제2 나노포러스 클래딩층은,상기 n-GaN층의 전기화학적 식각이 수행되지 않은 제3 n-GaN층; 및상기 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 가지는 제2 나노포러스 GaN층의 산화에 의해 형성되는 절연막을 더 포함하고, 상기 절연막과 상기 제3 n-GaN층은 동일 레이어(layer)를 이루는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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10
제1항에 있어서,상기 레이저 다이오드는,상기 활성층과 상기 p-GaN층 사이에 형성되고, 중심부위는 상기 p-GaN층으로 매립되며, 상기 활성층 상에 형성된 제3 n-GaN층에 대한 상기 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 가지는 제3 나노포러스 GaN층으로 이루어진 제3 나노포러스 클래딩층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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11
제10항에 있어서,상기 제3 나노포러스 클래딩층은,상기 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 가지는 상기 제3 나노포러스 GaN층의 산화에 의해 형성되는 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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12
기판 상에 제1 n-GaN층을 형성하는 단계;상기 제1 n-GaN층 상에 제2 n-GaN층을 형성하는 단계;상기 제2 n-GaN층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 p-GaN층을 형성하는 단계;상기 제1 n-GaN층의 표면 일부가 노출되도록 메사식각하여 상기 제2 n-GaN층의 측면을 노출시키는 단계; 및상기 제2 n-GaN층에 대한 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 포함하는 제1 나노포러스 클래딩층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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13
제12항에 있어서,상기 레이저 다이오드의 제조방법은,상기 제1 나노포러스 클래딩층을 형성하는 단계 이후에,상기 p-GaN층 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 n-GaN층 상의 노출된 영역에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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14
제12항에 있어서,상기 제1 나노포러스 클래딩층을 형성하는 단계는,상기 제2 n-GaN층의 중심부위는 n-GaN층의 전기화학적 식각이 수행되지 않고,상기 제2 n-GaN층의 외곽부위는 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 갖는 제1 나노포러스 GaN층으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 제1 나노포러스 클래딩층을 형성하는 단계 이후에,상기 제1 나노포러스 클래딩층에 포함된 제1 나노포러스 GaN층에 대한 산화를 통해 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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16
제12항에 있어서,상기 레이저 다이오드의 제조방법은,상기 활성층 상에 p-GaN층을 형성하는 단계 이후에,상기 p-GaN층과 상기 제1 전극 사이에 제3 n-GaN층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제1 나노포러스 클래딩층의 형성 단계에서 상기 제3 n-GaN층에 대한 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 포함하는 제2 나노포러스 클래딩층이 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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17
제16항에 있어서,상기 p-GaN층을 형성하는 단계와 상기 제3 n-GaN층을 형성하는 단계 사이에,상기 p-GaN층 상에 터널접합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 p-GaN층 상에 터널접합층을 형성하는 단계는,p-GaN층 상에 p+ GaN층을 형성하는 단계; 및상기 p+ GaN층 상에 n+ GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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19
기판 상에 제1 n-GaN층을 형성하는 단계;상기 제1 n-GaN층 상에 제2 n-GaN층을 형성하는 단계;상기 제2 n-GaN층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 제3 n-GaN층을 형성하는 단계;상기 제1 n-GaN층의 표면 일부가 노출되도록 메사식각하여 상기 제2 n-GaN층 및 상기 제3 n-GaN층의 측면을 노출시키는 단계; 상기 제3 n-GaN층을 리소그라피를 통해 제3 n-GaN층의 중심부위를 선택식각하는 단계;상기 제3 n-GaN층 및 상기 제3 n-GaN층의 선택식각된 영역 상에 p-GaN층을 형성하는 단계; 및상기 제2 n-GaN층 및 상기 제3 n-GaN층에 대한 n-GaN층의 전기화학적 식각을 수행하여 상기 제2 n-GaN층을 제1 나노포러스 클래딩층으로 개질하고, 상기 제3 n-GaN층을 제3 나노포러스 클래딩층으로 개질하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 레이저 다이오드의 제조방법은,상기 제1 나노포러스 클래딩층 및 상기 제3 나노포러스 클래딩층을 형성하는 단계 이후에,상기 p-GaN층 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 n-GaN층 상의 노출된 영역에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제12항 또는 제19항에 있어서,상기 n-GaN층의 전기화학적 식각은, n-GaN층에 대한 실리콘의 도핑농도와 식각전압을 조절하는 방식으로 수행되는 것을 포함하는 레이저 다이오드의 제조방법
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