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기판;상기 기판에 일정간격으로 실장되고, 구리(Cu)패드로 이루어진 하판과, 상기 하판 상에 P형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키고 이어 N형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키는 방법으로 P형 반도체와 N형 반도체를 교대로 적층시켜 나노 기둥을 다수 형성한 열전소자 층과, 상기 열전소자 층의 상면에 적층되고 구리(Cu)패드로 이루어진 상판으로 이루어진 열전발전부품;상기 기판상에 실장되어 상기 열전발전부품들을 직렬로 연결시키는 부품연결회로;를 포함하는 고효율 열전발전모듈
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제 1 항에 있어서,상기 열전소자 층은 DOD(Dynamic Oblique Deposition)기법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈
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제 1 항에 있어서,상기 열전소자 층의 성능지수는 (여기서, T는 온도차) 의 식으로 표현되고, 열전소자의 갯수 N, 기전력값 Vs, P 및 N형 반도체의 열전도도 κ, 전기저항 ρ에 의해 결정된 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈
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기판;상기 기판에 일정간격으로 실장되고, 구리(Cu)패드로 이루어진 하판과, 상기 하판 상에 P형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키고 이어 N형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키는 방법으로 P형 반도체와 N형 반도체를 교대로 적층시켜 나노 기둥을 다수 형성한 열전소자 층과, 상기 열전소자 층의 상면에 적층되고 구리(Cu)패드로 이루어진 상판으로 이루어진 열전발전부품;상기 기판상에 실장되어 상기 열전발전부품들을 병렬로 연결시키는 부품연결회로;를 포함하는 고효율 열전발전모듈
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제 7 항에 있어서,상기 열전소자 층은 DOD(Dynamic Oblique Deposition)기법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈
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제 7 항에 있어서,상기 열전소자 층의 성능지수는 (여기서, T는 온도차) 의 식으로 표현되고, 열전소자의 갯수 N, 기전력값 Vs, P 및 N형 반도체의 열전도도 κ, 전기저항 ρ에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈
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하판 상에 P형 및 N형 반도체 특성을 갖는 열전재료를 나노 크기의 지름을 갖는 복합재료 기둥으로 다수 형성하여 열전소자 층을 형성하고, 상기 열전소자 층의 상부에 상판을 적층하여 열전발전부품을 제작하는 S110단계; 상기 열전발전부품을 직렬 연결시키기 위한 부품연결회로를 기판 상에 실장하는 S120단계; 및 상기 기판 상에 실장된 부품연결회로에 상기 열전발전부품들을 접속시키는 S130단계;를 포함하고,상기 S110단계는 구리(Cu)패드로 이루어진 하판이 일정 경사각을 갖고 일정 속도로 회전되도록 준비하는 단계; 상기 회전되는 하판 상에 P형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키고, 이어, N형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키는 방법으로 P형 반도체와 N형 반도체를 교대로 적층시켜 나노 기둥을 다수 형성한 열전소자 층을 형성하는 단계; 상기 열전소자 층의 상면에 구리(Cu)패드로 이루어진 상판을 적층시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 S110단계에서 열전소자 층은 DOD(Dynamic Oblique Deposition)기법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 S130단계에서 부품연결회로의 일단부에는 일 열전발전부품의 N형 전극인 상판이 연결되고 타단부에는 이웃하는 타 열전발전부품의 P형 전극인 하판이 연결되어 상기 열전발전부품들의 직렬 접속이 이루어진 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈의 제조방법
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하판 상에 P형 및 N형 반도체 특성을 갖는 열전재료를 나노 크기의 지름을 갖는 복합재료 기둥으로 다수 형성하여 열전소자 층을 형성하고, 상기 열전소자 층의 상부에 상판을 적층하여 열전발전부품을 제작하는 S210단계; 상기 열전발전부품을 병렬 연결시키기 위한 부품연결회로를 기판상에 실장하는 S220단계; 및 상기 기판상에 실장된 부품연결회로에 상기 열전발전부품들을 접속시키는 S230단계;를 포함하고, 상기 S210단계는 구리(Cu)패드로 이루어진 하판이 일정 경사각을 갖고 일정 속도로 회전되도록 준비하는 단계; 상기 회전되는 하판상에 P형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키고, 이어, N형 반도체를 증발시켜 나노 크기 지름을 갖는 기둥 형태의 미세구조로 증착시키는 방법으로 P형 반도체와 N형 반도체를 교대로 적층시켜 나노 기둥을 다수 형성한 열전소자 층을 형성하는 단계; 상기 열전소자 층의 상면에 구리(Cu)패드로 이루어진 상판을 적층시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 S210단계에서 열전소자 층은 DOD(Dynamic Oblique Deposition)기법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 S230단계에서 부품연결회로는 일단부에 일 열전발전부품의 N형 전극인 상판과 연결되고, 타단부에 이웃하는 타 열전발전부품의 P형 전극인 하판이 연결되는 회로가 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 고효율 열전발전모듈의 제조방법
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