맞춤기술찾기

이전대상기술

사성분계 산화아연 박막

  • 기술번호 : KST2015177608
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 사성분계 산화아연 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 소자가 개시된다. 본 발명에 의한 사성분계 산화아연 박막은 마그네슘 및 인듐, 갈륨, 알루미늄으로 구성되는 3족 원소 중 적어도 어느 하나를 함께 도핑함으로써 광학적 특성 및 전기적 특성이 개선된다. 또한 본 발명에 의한 사성분계 산화아연 박막의 제조 방법은 타겟을 준비하여 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용함으로써 대면적 증착 및 제조 비용의 절감이 가능하다. 나아가 사성분계 산화아연 박막을 포함하는 전자 소자는 높은 변환 효율과 높은 밴드갭 에너지, 낮은 비저항을 가짐으로 새로운 TCO층을 가지는 태양 전지 및 투명 전도층을 가지는 발광 다이오드로 응용이 가능하다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01)
CPC C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01)
출원번호/일자 1020110023272 (2011.03.16)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0105682 (2012.09.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.16)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주광역시 북구
2 신승욱 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정용 대한민국 대전광역시 유성구
4 문종하 대한민국 광주광역시 북구
5 이경훈 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0190886-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0012826-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0408391-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0744421-65
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0744392-28
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0842973-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0843015-86
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0076385-54
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.03.06 수리 (Accepted) 7-1-2013-0008899-20
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0286423-70
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.04.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0286455-20
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0305840-33
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.06.03 무효 (Invalidation) 7-1-2013-0022427-23
16 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.06.03 반려 (Return) 7-1-2013-0022428-79
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연 박막에 있어서,상기 산화아연 박막은 마그네슘; 및인듐, 갈륨, 알루미늄으로 구성되는 3족 원소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 사성분계 산화아연 박막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 마그네슘의 도핑 농도를 고정시키고, 상기 인듐, 갈륨, 알루미늄으로 구성되는 3족 원소 중 적어도 어느 하나의 도핑 농도를 조절하여 코-도핑된 것을 특징으로 하는 사성분계 산화아연 박막
3 3
제 2 항에 있어서,상기 3족 원소는 갈륨이며,상기 마그네슘은 5 at
4 4
제 2 항에 있어서,상기 3족 원소는 갈륨이며,상기 마그네슘은 5 at
5 5
제 2 항에 있어서,상기 3족 원소는 갈륨이며,상기 마그네슘은 10 at
6 6
제 2 항에 있어서,상기 3족 원소는 갈륨이며,상기 마그네슘은 10 at
7 7
제 2 항에 있어서,상기 마그네슘 및 상기 인듐, 갈륨, 알루미늄으로 구성되는 3족 원소 중 적어도 어느 하나는 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 코-도핑되는 것을 특징으로 하는 사성분계 산화아연 박막
8 8
마그네트론 스퍼터링 장치의 챔버 내에 기판과 타겟을 제공하는 단계; 상기 챔버 내에 반응 가스를 제공하는 단계; 및상기 마그네트론 스퍼터링 장치에 전원을 인가하여 마그네슘과 3 족 원소 중 적어도 어느 하나가 함께 도핑된 산화아연 박막을 기판상에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사성분계 산화아연 박막의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 3족 원소는 인듐, 갈륨, 알루미늄인 것을 특징으로 하는 사성분계 산화아연 박막의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 반응 가스는 아르곤인 것을 특징으로 하는 사성분계 산화아연 박막의 제조방법
11 11
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 사성분계 산화아연 박막을 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.