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발광 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015177618
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐 갈륨 질화물층을 포함하는 활성층 형성시에 계면 활성제로서 안티몬을 유입시키는 발광 소자 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 발광 소자 제조 방법은, 질소 소오스를 유입시켜 질화물을 포함하는 버퍼층을 기판 상에 형성하는 단계; 질소 소오스와 갈륨 소오스를 유입시켜 제1 반도체층을 형성하는 단계; 및, 상기 제1 반도체층 상부에 인듐 소오스와 갈륨 소오스, 질소 소오스를 유입시켜 인듐 갈륨 질화물층을 성장시키면서, 안티몬 소오스를 유입시키는 단계를 포함한다. 다중 양자 우물, 표면 활성제, 안티몬
Int. CL H01L 33/06 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090013345 (2009.02.18)
출원인 주식회사 에타맥스, 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0094094 (2010.08.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에타맥스 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준기 대한민국 광주광역시 북구
2 심종인 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0099931-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0527652-93
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0056108-40
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0056107-05
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0348576-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0657420-66
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0657419-19
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0103095-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2012-5114457-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2015-5065110-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질소 소오스를 유입시켜 질화물을 포함하는 버퍼층을 기판 상에 형성하는 단계; 질소 소오스와 갈륨 소오스를 유입시켜 제1 반도체층을 형성하는 단계; 및, 상기 제1 반도체층 상부에 인듐 소오스와 갈륨 소오스, 질소 소오스를 유입시켜 인듐 갈륨 질화물층을 성장시키면서, 안티몬 소오스를 유입시키는 단계 를 포함하는 발광 소자 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계는, 질소 소오스와 갈륨 소오스를 유입시켜 언도프트 갈륨 질화물층을 형성한 후, N형 불순물 소스를 추가로 유입시켜 N형 불순물이 유입된 갈륨 질화물층을 형성하여 제1 반도체층을 형성하는 발광 소자 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 질소 소오스로 암모니아(NH3), 모노메틸히드라진(MMHy), 디메틸히드라진(DMHy) 중 어느 하나를 사용하고, 상기 갈륨 소오스로 트리메틸갈륨(TMGa) 또는 트리에틸갈륨(TEGa)를 사용하고, 상기 인듐 소오스로 트리메틸인듐(TMIn) 또는 트리에틸인듐(TEIn)을 사용하며, 상기 안티몬 소오스로 트리아이소프로필안티몬(tri isopropylantimony; TIPSb), 트리메틸안티모니(trimethyl Sb), 또는 트리에틸안티모니(triethyl Sb)를 사용하는 발광 소자 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 인듐 소오스와 갈륨 소오스, 그리고 안티몬 소오스를 1667 : 833 : 1 ~ 2
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 양자 우물층을 형성하는 단계에서 MOCVD를 사용하여 인듐 갈륨 질화물층을 성장시키는 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.