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기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 전지 적층체를 형성하는 단계;100-x 원자량%의 유리 형성자 물질과 x 원자량%(x는 10 내지 90)의 유리 변형자 물질을 포함하는 제1 타겟과, 금속을 포함하는 제2 타겟을 제조하는 단계; 및상기 전지 적층체가 형성된 상기 기판 위에 상기 제1 타겟과 상기 제2 타겟을 교대로 증발시켜 복수의 무기 복합 박막과 복수의 금속 박막을 하나씩 교대로 형성함으로써 보호층을 형성하는 단계; 를 포함하되,상기 복수의 무기 복합 박막과 상기 복수의 금속 박막을 형성하는 과정에서 상기 기판에 -30V 내지 -70V 범위의 바이어스 전압이 인가되는 박막 전지의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 유리 형성자 물질은 SiO2, GeO2, Al2O3, V2O5, 및 ZrO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,상기 유리 변형자 물질은 ZnO, Y2O3, SnO2, In2O3, MgO, BaO, 및 CaO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 타겟은 전이 금속, 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 박막 전지의 제조 방법
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 무기 복합 박막과 상기 복수의 금속 박막은 마그네트론 스퍼터링 장비에서 연속으로(in-situ) 하나씩 교대로 형성되는 박막 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 복수의 무기 복합 박막은 아르곤과 산소의 혼합 가스 분위기에서 형성되는 박막 전지의 제조 방법
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