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리튬 이차전지용 실리콘 박막 음극의 성능 개선 방법

  • 기술번호 : KST2015178248
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, Si 계 음극 활물질을 사용하는 리튬 이차전지에 있어서, 음극 집전체의 표면이 특정 몰포로지를 가지도록 표면처리하고, 바람직하게는 상기 표면처리 음극 집전체에 바이어스 전압을 인가한 상태에서 스퍼터링에 의해 음극 활물질로서의 실리콘 막을 증착하거나, 및/또는 상기 표면처리 음극 집전체와 실리콘 막 사이에 접착층을 개재함으로써, 음극 집전체와 활물질 사이의 결합력을 강화시켜 궁극적으로 충방전 사이클 특성을 향상시키는 방법을 제공한다.
Int. CL H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/1395 (2010.01.01) H01M 4/66 (2006.01.01) H01M 4/78 (2006.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01) H01M 4/0421(2013.01)
출원번호/일자 1020040072823 (2004.09.11)
출원인 강원대학교산학협력단, 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0800968-0000 (2008.01.29)
공개번호/일자 10-2006-0023899 (2006.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20080205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시
2 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성만 대한민국 강원 춘천시
2 이서재 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손창규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** *동 ****호(역삼동, 성지하이츠*차빌딩)(글로벌혜성특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0412853-56
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2005.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0289225-85
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
4 출원심사청구서
Request for Examination
2007.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0131764-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0590583-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0893280-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0893065-02
8 등록결정서
Decision to grant
2008.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0043390-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5075634-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5249875-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049179-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
14 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1308718-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si 계 음극 활물질을 사용하는 리튬 이차전지에 있어서, Cu 또는 Ni의 음극 집전체의 표면 전반에 걸쳐 5 ~ 100 ㎛ 크기의 입계(grain boundary)를 가지며 상기 입계들이 접하는 부위에 적어도 1 ㎛ 깊이 이상의 골이 형성되는 있는 표면 몰포로지를 가지도록 음극 집전체를 표면처리하고, 상기 표면처리된 음극 집전체에 접착층으로서 지르코늄 박막을 형성한 후, 그 위에 음극 활물질로서의 실리콘 막을 증착하는 과정을 포함하는 것으로 구성된, 리튬 이차전지의 충방전 사이클 특성의 개선 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 표면처리는 습식법에 의한 화학적 또는 전기적 에칭이나 건식법에 의한 반응성 가스 또는 이온 에칭으로 행하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 화학적 에칭의 경우, 에칭제로서 FeCl3/HCl/H2O의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 표면처리된 음극 집전체에 접착층을 형성한 후, 상기 음극 집전체에 바이어스 전압을 인가한 상태에서 스퍼터링에 의해 음극 활물질로서의 실리콘 막을 상기 접착층 위에 증착하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 음극 집전체에 접착층을 형성한 후 열처리를 행하여 음극 집전체와 접착층 간의 결합력을 더욱 강화하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 열처리는 100 ~ 400 ℃에서 10 초 ~ 30 분 간 행하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 1 항에 따른 방법으로 처리 또는 제조된 음극과, 양극, 분리막, 및 리튬염 함유 비수 전해질을 포함하는 것으로 구성된 리튬 이차전지
11 10
제 1 항에 따른 방법으로 처리 또는 제조된 음극과, 양극, 분리막, 및 리튬염 함유 비수 전해질을 포함하는 것으로 구성된 리튬 이차전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04970266 JP 일본 FAMILY
2 JP20512838 JP 일본 FAMILY
3 US09614214 US 미국 FAMILY
4 US20070007239 US 미국 FAMILY
5 WO2006028316 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 BRPI0419036 BR 브라질 DOCDBFAMILY
2 BRPI0419036 BR 브라질 DOCDBFAMILY
3 CA2579377 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
4 CA2579377 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
5 JP2008512838 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2008512838 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2008512838 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP4970266 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 RU2327254 RU 러시아 DOCDBFAMILY
10 TW200610215 TW 대만 DOCDBFAMILY
11 TW269476 TW 대만 DOCDBFAMILY
12 TWI269476 TW 대만 DOCDBFAMILY
13 US2007007239 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US9614214 US 미국 DOCDBFAMILY
15 WO2006028316 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.