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고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프

  • 기술번호 : KST2015178355
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도 평판형 발광다오이드 백색 조명 램프의 제작공정에 관한 것으로서 특히, 사파이어 기판위에 다수의 발광칩들이 배열되도록 청색 또는 자색 발광다이오드 적층 구조를 형성하고 일체형 회로를 통해 작은 체적공간상에 집적된 조명램프에 관한 것이다. 여기서 일체형 회로는 기존의 개별적 발광다이오드를 갖는 양 및 음 전극을 각각 금속배선으로 연결하는 것으로서 웨이퍼 상의 발광다이오드 칩 위에 형광물질을 도포하고 고밀도로 집적화 시킴으로써 고휘도 백색램프를 구현하는 고밀도 평판형 발광다이오드 조명램프에 관한 것이다. 이상에서와 같이 본 발명은 기존의 방식인 웨이퍼위에 증착된 발광다이오드칩을 개별적으로 분리하여 에폭시 밀봉제로 감싸 만든 인디케이터 램프를 다수 조립한 반도체 백색 전등의 가시조도가 미약한 문제점을 보완한 것으로 웨이퍼위에 발광다이오드를 증착한 다음 칩간의 금속배선으로 회로를 구성함으로써 웨이퍼가 고휘도 가시용 조도를 갖는 백색전등의 기능을 갖는 효과를 제공한다.고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프 High density-flat pannel lamp of white light emitting diodes
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) F21K 9/90 (2016.01.01) F21Y 115/10 (2016.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020040055965 (2004.07.19)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0070156 (2004.08.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 2020040020580;
심사청구여부/일자 Y (2004.07.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김근주 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 최재호 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 하수호 대한민국 전라북도 정읍시

대리인

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최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0317937-31
2 실용신안등록이중출원서
Dual Application for Utility Model Registration		 2004.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-0319114-29
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0185709-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2006-5051159-10
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0382376-10
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0526363-07
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0105541-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
1 1

고밀도 평판형 발광다이오드 램프의 제조공정에 있어서, 사파이어기판을 사용하여 유기금속화합물 화학 기상증착방법(MOCVD)으로 완충층위에 n-형 GaN 클래딩층을 성장시키는 제 1 공정과;

상기 클래딩층위에 Undoped GaN층을 성장시키는 제 2 공정과;

상기 클래딩층위에 MOCVD로 청색 발광 활성층을 성장시키는 제 4 공정과;

상기 활성층위에 P-형 GaN 클래딩층을 성장시키는 제 5 공정과;

상기 N-형 GaN 오믹접촉층에 까지 건식식각하는 제 6 공정과;

상기 P-형 GaN층 위에 투명전극을 형성시키는 제 7 공정과;

상기 N-형 GaN 오믹접촉층위에 N-형전극 금속배선을 형성시키는 제 8 공정과;

상기 N-형 GaN 오믹접촉층위에 SiO2절연막을 형성시키는 제 9 공정과;

상기 절연막위에 P-형 전극 및 금속배선을 형성시키는 제 10 공정과;

상기 P-형 전극을 SiO2절연막으로 피복증착하는 제 11 공정과;

상기 P-형 전극과 N-형 전극을 도출시키는 제 12 공정을 포함하는 것

을 특징으로 하는 고밀도 평판형 발광다이오드 램프의 제작방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩을 N-형 금속배선 및 P-형 금속배선으로 병렬 또는 직병렬 형태로 연결하여 칩을 배열시킴으로써 개별 절단하지 않고 발광다이오드 회로를 증착시킨 기판자체가 램프가 되는 고밀도 평판형 발광다이오드 램프의 제작방법

3 3

제 1항에 있어서, 발광램프 내부에 있는 다이오드칩 한 개의 구조는 발광부를 둘러싼 N-형 오믹접촉층과 발광층 상부위에 위치한 P-형 오믹접촉층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 평판형 발광다이오드 팸프의 제작방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR200370463 KR 대한민국 FAMILY

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