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에미터, 진성 베이스, 콜렉터, 절연층 측벽을 구비한 이종접합 구조의 바이폴라 반도체 소자에 있어서,상기 반도체 소자에 국부적 응력을 인가하기 위하여 선택적 에피성장으로 형성된 응력인가용 베이스;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조
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청구항 1에 있어서,상기 응력인가용 베이스는,(311) 경사면을 갖는 자기정렬형 에피성장으로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조
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청구항 2에 있어서,상기 반도체 소자 구조는,상기 반도체 소자에 국부적 응력을 부가적으로 인가하는 응력인가용 절연층;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조
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청구항 3에 있어서,상기 반도체 소자 구조는,상기 (311) 경사면에 의한 응력집속에 의해 상기 진성베이스에 상기 에미터에서 상기 콜렉터 방향의 수직방향 인장응력을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조
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청구항 3에 있어서,상기 반도체 소자 구조는,상기 콜렉터와 상기 진성 베이스의 사이에 저저항 확장 콜렉터를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체 소자 구조는,반도체 기판으로 Si, GaAs, GaN, InP을 포함한 IV-IV, III-V, II-VI 반도체 중에서 하나 이상을 사용하며, 응력의 인가를 위하여 사용하는 기판의 종류에 따라 SiGe/Si, GaAs/AlGaAs, InP/InGaAs, GaN/AlGaN 중에서 하나 이상을 포함한 이종접합 반도체 에피층을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조
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STI를 이용하여 콜렉터 층과 베이스 에피층을 성장하고, 에미터 하층과 에미터 상층을 증착하고 에미터 구조를 형성하는 제 1 공정과;상기 제 1 공정 후 응력인가용 에피층과 응력인가용 절연막을 형성시켜 반도체 소자 구조를 제조하는 제 2 공정;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 제 2 공정은,상기 제 1 공정 후 응력인가용 에피층을 형성하는 제 11 공정과;상기 제 11 공정 후 상기 응력인가용 절연막을 증착하고 형성하는 제 12 공정과;상기 제 12 공정 후 절연막을 증착하고 금속배선을 형성하는 제 13 공정;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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LOCOS 공정에 의해 기저 콜렉터에 고저항 층과 저저항 층을 형성하고, 콜렉터 층을 형성하고, 에미터 층을 형성하는 제 21 공정과;상기 제 21 공정 후 응력인가용 에피층과 응력인가용 절연막을 형성시켜 반도체 소자 구조를 제조하는 제 22 공정;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 제 22 공정은,상기 제 21 공정 후 응력인가용 에피층을 형성하는 제 31 공정과;상기 제 31 공정 후 절연막을 형성하는 제 32 공정과;상기 제 32 공정 후 상기 응력인가용 절연막을 증착하는 제 33 공정과;상기 33 공정 후 절연막을 증착하고, 금속배선을 형성하는 제 34 공정;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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청구항 8 또는 청구항 10에 있어서,상기 제 11 공정 또는 상기 제 31 공정은,선택적 에피성장을 적용하여 상기 응력인가용 에피층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 제 11 공정 또는 상기 제 31 공정에서 선택적 에피성장은,염소기를 함유한 혼합가스의 프리커서를 이용하여 상기 반도체 소자의 표면에 선택적으로 성장이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 제 11 공정 또는 상기 제 31 공정에서 선택적 에피성장은,상기 응력인가용 에피층이 (311)의 경사면으로 슬랜트된 모서리 형태로 조절되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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청구항 8 또는 청구항 10에 있어서,상기 제 11 공정 또는 상기 제 31 공정은,상기 응력인가용 에피층이 선택적 에피성장에 의해 국부적 응력이 인가되도록 측벽과 접하는 부위에서 (311) 방향의 결정면이 디벌롭되어서 응력집속이 되도록 제조하고, 이 때 몰 프랙션의 차이를 점차 증가시키면서 선택적 에피성장을 진행시킴으로써 응력이 점진적으로 집속되는 구조를 구비하도록 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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청구항 8 또는 청구항 10에 있어서,상기 제 11 공정 또는 상기 제 31 공정은,상기 응력인가용 에피층에는 베이스와 동일한 p-type 또는 n-type 불순물을 고농도로 도핑하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조의 제조 방법
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