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광결정 반사층을 갖는 공진형 양자구조의 화합물 반도체광소자

  • 기술번호 : KST2015178387
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광결정 반사층을 갖는 공진형 양자구조의 화합물 반도체 광소자에 관한 것으로, 특히, 발광 활성층인 다중양자우물구조에 접하는 상부 및 하부층에 광결정층을 도입하여 전자-정공쌍의 재결합으로 인한 발생된 광자를 광결정층으로 샌드위치된 활성층에 국소적으로 구속시킴으로써 공동구(cavity)를 형성하여 활성층내에 구속된 전자와 정공의 자발적 광자발생 및 유도 방출을 증대시키는 것을 특징으로 하며, 발광파장이 적외선에서 자외선까지 가능한 화합물반도체 재료를 이용한 발광다이오드 및 표면발광레이저 다이오드의 광소자를 포함한다. 이상에서와 같이 본 발명은, 광결정 반사층을 갖는 공진형 양자구조의 화합물 반도체 광소자는 효과적으로 광자를 광결정층으로 구속함으로써 고휘도의 자발 발광 및 유도방출 효과를 제공한다. 광결정 반사층을 갖는 공진형 양자구조의 화합물 반도체 광소자The compound semiconductor optoelectronic devices of cavity-resonant quantum structures with photonic crystal reflectors
Int. CL H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/16 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020070009768 (2007.01.31)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0029223 (2007.03.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.31)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김근주 대한민국 전북 전주시 완산구
2 최재호 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0093425-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064594-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0046251-35
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0191166-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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양자우물구조를 갖는 발광활성층을 포함하는 발광다이오드나 표면발광레이저 다이오드 광소자에 있어서, 활성층의 상부 및 하부에 광결정 반사층의 쌍이 한 개 이상 구비되어 발광활성층에서 발생된 광자를 광소자 내부의 일정공간에 구속시키는 것을 특징으로 하는 광결정 반사층을 갖는 공진형 양자구조의 화합물 반도체 광소자
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제1항에서 광결정 반사층의 쌍을 구비하는데 있어 상부 반사층은 광소자 에피 표면층에서 양자우물 발광활성층 상단사이에 형성하고, 하부 반사층은 기판의 이면에서 양자우물 발광활성층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 광결정 반사층을 갖는 공진형 양자구조의 화합물 반도체 광소자
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제1항의 광결정 반사층을 포함하는 광소자에서 양자구조의 발광활성층 하부 및 상부에 반도체 초격자구조와 소자의 바닥면과 상부표면에 금속층을 증착하여 반사효율 및 발광효율을 증대시키는 것을 특징으로 하는 광결정 반사층을 갖는 공진형 양자구조의 화합물 반도체 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.