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버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조방법 및 수직전도형소자

  • 기술번호 : KST2015178403
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판상에 균열없이 두꺼운 GaN 버츄얼 에피층을 성장시킬 수 있는 버츄얼 질화갈륨계 에피기판을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에 저온 버퍼층을 성장시키는 공정과, 상기 저온 버퍼층상에 GaN 에피층을 성장시키는 공정과, 이온주입기법에 의해 상기 GaN 에피층 내에 O2, N2 및 C이온 중 선택된 어느 한 이온과 Si이온을 주입하는 공정과, 이온이 주입된 상기 GaN 에피층을 어닐링하여 상기 GaN 에피층 내에 비정질의 SiO2, SixNy 또는 SiC 층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조방법에 관한 것이다. 질화갈륨, 이온주입법, 어닐링
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01)
출원번호/일자 1020070133247 (2007.12.18)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0065767 (2009.06.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이인환 대한민국 전북 전주시 완산구
2 주진우 대한민국 전북 전주시 덕진구
3 장이운 대한민국 전북 순창군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 기린대로 ***, 삼전빌딩 *층 이승현국제특허법률사무소 (덕진동*가)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0910094-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0030111-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0292267-58
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0565172-09
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0032417-04
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 저온 버퍼층을 성장시키는 공정과; 상기 저온 버퍼층상에 GaN 에피층을 성장시키는 공정과; 이온주입기법에 의해 상기 GaN 에피층 내에 O2, N2 및 C이온 중 선택된 어느 한 이온과 Si이온을 주입하는 공정과; 이온이 주입된 상기 GaN 에피층을 어닐링하여 상기 GaN 에피층 내에 비정질의 SiO2, SixNy 또는 SiC 층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 GaN 에피층의 일부를 마스킹한 후 이온주입기법에 의해 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 버츄얼 질화갈륨게 에피기판의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항의 버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조방법을 이용하여 N 컨택트층/기판/저온 버퍼층/GaN 에피층/SiO2나 SixNy 또는 SiC층/GaN 에피층/GaN 버츄얼 에피층/소자 에피층/P 컨택트층으로 순차적으로 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 전도형 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.