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금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178457
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법 및 그 제조장치가 개시된다. 본 발명에 의하면 금속 탄화물, 금속 질화물 및 실리콘 분말의 혼합물을 나노 분말화한 후, 이 혼합물에 압력 및 유도전류에 의하여 발생된 열을 가하여 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료를 합성한 다음, 상기 가해진 압력과 유도전류를 제거하고 냉각하여 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료를 제조방법과 그 장치를 제공함으로써 유도전류에 의한 간접가열에 의한 단일공정에 의하여 2 분 이내라는 짧은 시간에 제조할 수 있고, 별도의 후처리 공정이 없어 제조 시간과 단가를 줄일 수 있고, 금속실리사이드의 기계적 성질과 내산화성을 향상 시키는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료를 제조할 수 있게 된다. 나노재료, 금속 실리사이드, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 고주파 유도가열 연소합성, 유도전류, 복합재료
Int. CL C04B 35/58 (2006.01.01) C04B 35/565 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01)
CPC C04B 35/58085(2013.01) C04B 35/58085(2013.01) C04B 35/58085(2013.01) C04B 35/58085(2013.01) C04B 35/58085(2013.01) C04B 35/58085(2013.01) C04B 35/58085(2013.01) C04B 35/58085(2013.01)
출원번호/일자 1020080133267 (2008.12.24)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0074754 (2010.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손인진 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 고인용 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 이동목 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 윤진국 대한민국 서울특별시 노원구
5 박나라 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤의상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구 풍산로 **, 충북중소기업종합지원센타 *층 한울국제특허법률사무소 (가경동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0887724-20
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0001322-72
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0079484-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0014720-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0038373-57
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0204899-19
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0292551-22
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0376959-94
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0463410-60
12 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0058582-08
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0559037-16
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0559036-60
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0050508-41
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0238883-54
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0335125-73
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0427748-87
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0635824-74
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 탄화물, 금속질화물 및 실리콘 분말의 혼합물을 나노분말화하는 단계(S1); 상기 나노분말화된 혼합물에 압력 및 유도전류에 의하여 발생된 열을 가하여 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료를 합성하는 단계(S2); 상기 합성된 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료에 가해진 상기 압력과 유도전류를 제거하는 단계(S3); 및 상기 금속 실리사이드-SiC-Si3N4복합재료를 냉각하는 단계(S4)를 포함하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계(S1)에서의 금속 탄화물은 TiC, MO2C, TaC, NbC, ZrC 중에서 선택되는 하나 이상이고, 금속 질화물은 TiN, Mo2N, TaN, ZrN, NbN 중에서 선택되는 하나이상임을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기단계(S1)에서의 나노분말화 단계는 상기 금속 탄화물, 금속질화물 및 실리콘 분말의 혼합물을 유성볼밀링법에 의하여 나노분말화하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기단계(S1)에서의 금속 탄화물, 금속질화물 및 실리콘 분말의 입자크기가 최대 300 ㎚가 되도록 나노분말화하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기단계(S2)에서의 상기 유도전류는 고주파 전류를 이용하여 발생시키는 것을 특징으로 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 고주파 전류는 1 내지 900KHz의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기단계(S2)에서의 압력은 10 내지 1000 MPa로 가해짐을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기단계(S2)에서의 가열은 50 내지 2,000 ℃/min의 속도로 가해지는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기단계(S2)에서의 압력 및 유도전류의 제거는 상기 복합재료의 수축길이 변화가 발생되지 않는 시점에서 이루어짐을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 또는 제9항에 있어서, 상기단계(S2)에서의 상기 압력 및 유도전류는 10분 이내로 가해지는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기단계(S4)에서의 냉각은 상온까지 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기단계(S2)에서의 합성은 0
13 13
내부에 관통공이 형성되어 있고 상기 관통공 내부에 나노분말화된 금속 탄화물 및 실리콘 분말의 혼합물을 수납하기 위한 다이 부재; 외부 압력 발생 장치로부터 전달된 압력을 상기 관통공 내부의 상기 혼합물에 가하기 위한 가압 부재; 및 상기 다이 부재의 주변에 이격되어 배치되어 유도 전류를 발생하는 유도 전류 발생 부재를 포함하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료 제조 장치
14 14
제13항에 있어서, 상기 유도 전류 발생 부재는 고주파 전류 코일로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료 제조 장치
15 15
제13항에 있어서, 상기 다이 부재는 흑연 다이인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료 제조 장치
16 16
제13항에 있어서, 상기 가압 부재는 상기 관통공에 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드-SiC-Si3N4 복합재료 제조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.