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쇼트키 장벽 트랜지스터 소자를 제조하는 방법에 있어서,
실리콘 함유 기판 상에 게이트 절연막층을 형성하는 단계;
상기 절연막층 전면에 게이트 전극층을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막층 및 게이트 전극층을 식각하여 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막과 게이트 전극의 양쪽에 측벽을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극의 상부 및 소오스/드레인 영역에 해당하는 기판 표면에 Si 산화막을 형성하는 단계;
상기 Si 산화막을 포함하도록 기판 전면에 걸쳐 금속층을 증착하는 단계;
1차 및 2차의 2단계 열처리를 수행하여 상기 게이트 전극 영역 상에 금속 실리사이드 막과 동시에 기판 내부에 금속 실리사이드를 포함하는 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;
상기 2차 열처리 과정 중에 반응하지 않은 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 실리콘 함유 기판은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비결정 실리콘, SixGe1-x(0003c#x003c#1), SixN1-x(0003c#x003c#1), SiC, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 SiO2, SiON, HfO2, ZrO2, Er2O3, Y2O3, Gd2O3, Al2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은 다결정 실리콘, 비결정 실리콘, SixGe1-x(0003c#x003c#1), SixN1-x(0003c#x003c#1), SiC 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 실리콘 함유 물질; Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Ni, Ti, Co, Cu, Pt, W, Cr, Mo, W, Au, Ag, Zn, Ir, Ta, Hf, K, Li, Cs 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속; 또는 이들의 조합 중에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 측벽은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 이들의 조합 중에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 금속층은 Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Ni, Ti, Co, Cu, Pt, W, Cr, Mo, W, Au, Ag, Zn, Ir, Ta, Hf, K, Li, Cs 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 열처리는 100 내지 1000℃의 범위에서 수행하는 것인 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 2차 열처리는 1차 열처리 온도보다 높은 온도에서 수행하는 것인 쇼트키 장벽 트랜지스터 소자의 제조방법
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