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에어패스를 포함하는 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178483
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 발광소자는 기판; 기판 위에 만들어진 연속형상의 에어패스를 갖는 반도체층을 포함하여 이루어지며, 또한 본 발명은 이러한 발광소자의 제조방법을 제공한다. 발광소자, 에어패스, 식각유도
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020090041063 (2009.05.12)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1068157-0000 (2011.09.21)
공개번호/일자 10-2010-0122160 (2010.11.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김형구 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 염홍서 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교로 ***(야탑동, 탑마을경남아너스빌) 경남상가 B*-***(서준국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0282529-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072300-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0038245-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0173591-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0173593-26
8 등록결정서
Decision to grant
2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0423579-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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기판을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 식각유도용 연속패턴과 식각유도용 닷패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴 위에 반도체층을 성장시키는 단계; 상기 반도체층이 성장되지 않아 노출된 식각유도용 닷패턴에 연결된 연속패턴을 따라 습식식각액이 침투하여 에어패스를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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기판을 형성하는 단계; 상기 기판위에 식각유도용 연속패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴 위에 반도체층을 성장시키는 단계; 상기 반도체층에 건식식각용 마스크를 형성하는 단계; 상기 반도체층을 건식식각하는 단계; 상기 건식식각에 의해 노출된 반도체층 아래의 식각유도용 연속패턴을 습식식각액으로 식각하는 단계; 상기 식각유도용 연속패턴이 식각된 공간을 따라 습식식각액이 침투하여 반도체층을 식각하여 에어패스를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 습식식각액이 침투하여 에어패스를 형성하는 단계는 습식식각액이 식각유도용 연속패턴을 습식식각하는 단계;와 상기 식각유도용 연속패턴이 습식식각된 공간을 따라 습식식각액이 침투하여 반도체층을 습식하여 에어패스를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 식각유도용 닷패턴이 가로 또는 세로 또는 양방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.