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기판과,상기 기판 위에 형성되고 성장 절단면을 갖는 시드층과,상기 성장 절단면에서 수평 방향으로 측면 성장되며 반도체 채널층의 동작을 하는 나노와이어와,상기 시드층 위에 형성된 소스/드레인 전극 중 제1 전극과,상기 나노와이어에서 상기 성장 절단면의 반대쪽에 형성된 소스/드레인 전극 중 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 기판 상에서 상기 제1 전극을 둘러싸는 형태인 것을 특징으로 하는 나노와이어 반도체 채널층을 갖는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 성장 절단면은 상기 시드층을 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 반도체 채널층을 갖는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제2 전극은 서클(circle) 모양, 도우넛 모양, 타원 모양, 다각형 중 어느 하나인 것을 특징으로 나노와이어 반도체 채널층을 갖는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 채널층은 나노와이어 다발인 것을 특징으로 하는 나노와이어 반도체 채널층을 갖는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 나노와이어는 상기 시드층의 측면으로부터 상기 시드층에 수평한 방향으로 성장한 형태인 것을 특징으로 하는 나노와이어 반도체 채널층을 갖는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 나노와이어는 ZnO, GaN, Si, SnO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노와이어 반도체 채널층을 갖는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 Li, Na, K, Sc, Be, Mg, Ca, Mn, Fe, Cu, Al, V, Ga, In, S, Sn, Se, As, B, Sb, Te 중에서 선택된 적어도 하나의 원소로 도핑된 것을 특징으로 하는 나노와이어 반도체 채널층을 갖는 박막 트랜지스터
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제 1 항 내지 제 7 항 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 소자
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