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유리기판(11)상에 RF메그네트론 스퍼터링법(RF-magnetron sputtering)에 의해서 산화아연 시드층(12)을 형성하는 단계(S10)와, 상기 산화아연 시드층(12) 상에 수열법으로 알루미늄이 도핑된 산화아연 나노로드 박막(13)을 형성하는 단계(S20)와, 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 나노로드 박막(13)을 수산화나트륨 수용액에 침적처리하는 단계(S30)를 포함하여 구성된 알루미늄이 도핑된 산화아연 나노로드 기반 실리콘 태양전지의 투명전도성기판 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 RF메그네트론 스퍼터링법(RF-magnetron sputtering)은타겟은 순도 90 %내지 99
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제 1항 또는 제 2 항에 있어서,상기 수열법은 먼저 핵사메틸렌 테트라민(hexamethylene tetramine)과 징크 니트로젠 하이드라이드[Zn(No₃)₂ㆍ6H₂o]을 동일의 일정한 농도로 혼합하고, 도핑물질인 테트라메틸렌 알루미늄(tetramethylene aluminum)이 첨가하여 프리커서(precursor)인 혼합 수용액을 테프론 비이커에서 만들고,다음에 상기 테프론 비이커 내부의 혼합수용액에 상기 전단계(S10)에서 제작된 산화아연 시드층(12)이 증착된 유리기판(11)을 침적하여 상기 테프론 비이커를 전기오븐에 장입하고 80 내지 120℃에서 4 내지 6시간 동안 알루미늄이 도핑된 산화아연 나노로드 박막(13)을 성장시키는 것을 특징으로 하는 알루미늄이 도핑된 산화아연 나노로드 기반 실리콘 태양전지의 투명전도성기판 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 일정농도는 0
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제 4 항에 있어서,상기 일정농도는 0
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 수산화나트륨 수용액의 농도는 0
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7
제 3 항에 있어서,상기 수산화나트륨 수용액의 농도는 0
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제 4 항에 있어서,상기 수산화나트륨 수용액의 농도는 0
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제 5 항에 있어서,상기 수산화나트륨 수용액의 농도는 0
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