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광추출효율이 향상된 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178535
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자의 구조 및 제조방법에 관한 것으로서, 최상부에 설치된 반도체층의 광추출면상에 다각형 메사 또는 다각형 콘 형상의 구조물을 형성하여 발광소자 표면에서의 광추출효율이 증가되며 빔 프로파일의 각도가 넓어져서 배광특성이 개선된 발광소자와 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100091793 (2010.09.17)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0029757 (2012.03.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김형구 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 염홍서 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교로 ***(야탑동, 탑마을경남아너스빌) 경남상가 B*-***(서준국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0608577-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0649415-41
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0284307-47
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
최상층에 하나이상의 메사 또는 콘의 형태를 갖는 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 형태가 n-GaN로 만들어지는 것을 특징으로 하는 발광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 형태가 ACTIVE AREA에 균일한 배열을 가지며 분포하는 것을 특징으로 발광소자
4 4
제1항에 있어서,상기 메사 또는 콘이 다각형인 것을 특징으로 하는 발광소자
5 5
기판을 준비하는 단계;제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 상기 기판위에 순차로 적층하는 단계; 상기 제2반도체층상에 마스크 패턴용 박막을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴용 박막을 에칭하여 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴용 박막이 식각된 영역에 반도체층을 성장시켜 콘 또는 메사를 형성하는 단계; 그리고상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 마스크 패턴용 박막이 실리콘옥사이드인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 반도체 층이 GaN인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 콘 또는 메사의 높이는 성장시간으로 조절하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.