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기판;
상기 기판 상에 형성되어 발광 영역을 갖는 반도체층; 및
상기 반도체층의 외부 표면에 형성되는 복수의 언더컷 편향홈; 을 포함하고,
상기 언더컷 편향홈은 상기 반도체층의 외부 표면에 형성된 입구의 단면적이 상기 기판에 접하는 영역의 단면적에 비해 좁은 발광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 언더컷 편향홈은 상기 반도체층의 외부 표면에서 상기 기판을 향하는 깊이 방향으로 갈수록 폭이 점차 넓어지는 발광 소자
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 언더컷 편향홈은 상기 반도체층과 상기 기판이 접하는 면과 이루는 내측 경사각이 30 내지 70도로 형성되는 발광 소자
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 언더컷 편향홈이 위치된 영역에서 상기 기판에 형성되고, 상기 기판의 깊이 방향으로 갈수록 폭이 점차 좁아지는 하부 편향홈을 더 포함하는 발광 소자
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 언더컷 편향홈은 다각형의 입구를 갖는 발광 소자
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 언더컷 편향홈은 벌집 구조의 주기적 배열을 갖는 발광 소자
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7
기판을 마련하는 단계;
상기 기판 상에 복수의 편향홈을 갖는 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 복수의 편향홈의 내측 영역을 습식 식각하여 깊이 방향으로 폭이 점차 넓어지는 언더컷 편향홈을 형성하는 단계; 를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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8
청구항 7에 있어서,
상기 반도체층의 형성 단계 이전에,
상기 기판 상에 분리된 섬 형태의 마스크 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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9
청구항 8에 있어서,
상기 마스크 패턴 상에 복수의 편향홈을 형성하고, 상기 복수의 편향홈은 깊이 방향으로 폭이 점차 좁아지게 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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10
청구항 8에 있어서,
상기 마스크 패턴은 SiOx, SiNx, W, Pt로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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11
청구항 7에 있어서,
상기 반도체층은 n형층, 활성층 및 p형층을 포함하고, 선택적 MOCVD 법으로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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12
청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 언더컷 편향홈의 형성 단계는,
수산화칼륨, 황산, 인산 및 알루에치(4H8PO4+4CH8COOH+HNO8+H2O) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 식각 용액을 이용하여 실시하는 발광 소자의 제조 방법
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