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기판; 및
상기 기판 상에 형성되어 발광 영역을 갖는 반도체층; 을 포함하고,
상기 반도체층의 상면에는 깊이 방향으로 폭이 점차 좁아지는 복수의 편향홈 및 각 편향홈들이 형성되지 않은 영역을 커버하는 전극 패턴이 형성된 발광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 기판과 반도체층 사이에 마스크 패턴이 더 형성된 발광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 반도체층은 다층 구조로 형성되고, 이 중 하나의 반도체층 상에 마스크 패턴이 더 형성된 발광 소자
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청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 마스크 패턴의 상부에 상기 각 편향홈들이 형성된 발광 소자
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5
청구항 1에 있어서,
상기 반도체층은 활성층을 포함하고,
상기 각 편향홈들의 내측 경사면에는 상기 활성층이 전체 활성층의 평균 두께보다 얇게 형성된 발광 소자
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6
청구항 1에 있어서,
상기 각 편향홈들은 주기적으로 배열된 발광 소자
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청구항 6에 있어서,
상기 각 편향홈들은 벌집 구조로 주기적으로 배열된 발광 소자
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8
청구항 1에 있어서,
상기 각 편향홈들은 다각형의 입구를 갖는 역피라미드 구조로 형성된 발광 소자
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9
청구항 1에 있어서,
상기 각 편향홈들의 내측 경사면에는 상기 반도체층에서 생성된 광의 파장을 변환하는 파장 변환층이 더 형성된 발광 소자
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10
청구항 9에 있어서,
상기 파장 변환층은 양자 우물 구조로 형성된 발광 소자
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11
청구항 1에 있어서
상기 전극 패턴은 반사성 도전막으로 형성되고,
상기 기판의 하면에는 반사층이 더 형성된 발광 소자
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12
기판을 마련하는 단계;
상기 기판 상에 섬 형태의 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴을 포함하는 전체 구조 상에 깊이 방향으로 폭이 점차 좁아지는 복수의 편향홈이 구비된 반도체층을 형성하는 단계; 및
각 편향홈들의 형성 영역을 제외한 상기 반도체층 상의 발광 영역에 전극 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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13
청구항 12에 있어서,
상기 마스크 패턴은 SiOx, SiNx, W, Pt로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질막으로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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14
청구항 12에 있어서,
상기 반도체층을 형성하는 단계는,
상기 복수의 편향홈의 내측 경사면에 파장 변환층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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15
청구항 14에 있어서,
상기 파장 변환층을 형성하는 단계는,
상기 반도체층의 전체 구조 상에 파장 변환 물질을 형성하는 단계; 및
패터닝 공정을 실시하여 상기 반도체층의 상면에 존재하는 파장 변환 물질을 제거하는 단계; 를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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청구항 12에 있어서,
상기 반도체층은 선택적 MOCVD 법으로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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