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주기적 편향구조가 내재된 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178578
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자 내부에 주기적인 광탈출 경로를 단축시키는 경사진 구조로 활성층 영역의 손실을 최소화하고, 그 상부면에 메탈층이 구비되어 광추출 효율을 향상시키는 주기적 편향구조가 내재된 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 광추출 효율이 향상되며, 전도성 기판상에 반도체층과 연결되는 메탈층을 구비함으로써 열적 신뢰성이 좋아지고, 전류 확산이 원활해지는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110080576 (2011.08.12)
출원인 전북대학교산학협력단, 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1181018-0000 (2012.09.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구
2 강지혜 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 김현규 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 김희윤 대한민국 서울특별시 노원구
5 박영재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
2 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0625370-87
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.11.02 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0862490-05
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0862423-56
4 보정요구서
Request for Amendment
2011.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0105190-06
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0977989-38
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2011.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0117890-73
7 등록결정서
Decision to grant
2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0499462-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 SiO2 패턴;상기 기판 상에 순차 성장된 n-층, 활성층 및 p-층; 상기 p-층 및 SiO2 패턴 상에 성장된 메탈층;을 포함하는 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 n-층, 활성층 및 p-층은 경사진 양 측면이 SiO2 패턴의 양단에 걸쳐 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자
3 3
기판;상기 기판 상에 성장된 n-층; 상기 n-층 상에 형성되며, 중앙부가 비어있는 SiO2 패턴;상기 n-층 위에 성장된 n-층, 활성층 및 p-층;상기 p-층 위에 형성된 패시베이션층; 상기 중앙부가 비어있는 SiO2 패턴에 의해 노출된 영역에 드러나는 n-층과 접촉하여 형성된 메탈층;을 포함하는 발광소자
4 4
제3항에 있어서,상기 n-층, 활성층 및 p-층은 경사진 양 측면이 상기 중앙부가 비어있는 SiO2 패턴의 양단에 걸쳐 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 n-층과 접촉하는 메탈층과 하부 도전성 기판이 접하여 전류와 열의 경로가 되는 것을 특징으로 하는 발광소자
6 6
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 SiO2 패턴이 형성되는 단계;상기 기판 상에 n-층, 활성층, p-층을 순차 성장시키는 단계; 상기 p-층 및 SiO2 패턴 상에 메탈층을 성장시키는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
7 7
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 n-층을 성장시키는 단계; 상기 n-층 상에 SiO2 패턴이 형성되는 단계;상기 n-층을 재성장시킨 후, 활성층 및 p-층을 성장시키는 단계;상기 p-층상에 p-전극을 형성하는 단계;상기 p-층 상에 패시베이션층을 성장시키는 단계;상기 SiO2 패턴의 중앙부를 식각하여 상기 n-층을 노출시키는 단계; 상기 중앙부에 드러나는 n-층과 접촉하여 메탈층을 성장시키는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.