맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178629
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 다접합 다전극 탠덤(Tandem)구조를 개선한 다물질을 포함한 단일접합 단일전극형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 SiC/Si 광결정 핀(PIN) 구조 실리콘 태양전지의 새로운 구조의 발명으로 핀(PIN) 구조의 광흡수층인 I층을 SiC박막과 Si 박막이 병렬 배열하는 구조로 형성하는데, SiC박막의 모자이크 패턴이나 광결정 패턴을 형성하고 광결정의 나노구멍에 Si 나노와이어가 증착되어 양단의 PN 접합에 I층인 SiC 박막층과 Si 나노와이어 층이 병렬 연결되어 회로를 구성하는 SiC/Si 광결정 PIN 구조를 갖는다. 박막형 구조를 기존의 벌크형 실리콘 태양전지에 접목하고 박막형 구조에 양자점이나 광결정구조를 직렬형 탠덤 구조와는 다르게 병렬로 도입함으로써 가시광 영역의 스펙트럼 부정합을 극복하고 효율 향상이 가능한 단일 접합형 다물질의 구조가 된다.본 발명의 기대효과로는 SiCx/Si 광결정 PIN 구조 실리콘 태양전지를 개발함으로써 광결정의 포토닉 밴드갭(photonic bandgap)으로부터 광의 구속과 나노구멍을 통한 전자의 전도특성을 확보할 수 있어 효율적인 광의 구속 및 흡수와 전자의 효율적인 인출이 병렬 에너지밴드구조로부터 가능해진다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/075 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1812(2013.01) H01L 31/1812(2013.01) H01L 31/1812(2013.01)
출원번호/일자 1020110005221 (2011.01.19)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1266337-0000 (2013.05.15)
공개번호/일자 10-2012-0083963 (2012.07.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130522) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.19)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김근주 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0043170-67
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0105629-35
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0323008-14
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0414491-44
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503517-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0581584-64
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0581592-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0814352-88
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0691372-30
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1059816-30
12 등록결정서
Decision to grant
2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0273077-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
조직화된 P형 실리콘 기판 위에 광흡수층인 i-Si층을 PECVD 적층하는 공정;상기 i-Si층 위에 SiCx층을 적층하는 공정;상기 SiCx층을 포토리소그래피공정으로 마이크로 크기를 갖는 패턴을 형성하여 식각하거나 광홀로그래피 공정을 통하여 광결정 형상의 나노 패턴을 형성하여 식각한 다음, 그 위에 Si층을 증착하여 식각된 상기 패턴의 구멍을 채우는 공정;인산도핑 확산공정을 통해 상기 Si층과 SiCx층을 에미터층인 N-SiCx층과 N-Si층으로 형성하고, 상기 N-SiCx층과 상기 N-Si을 병렬구조로 완성하는 공정;상기 N-SiCx층과 N-Si층 형성 과정에서 발생된 인실리사이드유리층(PSG)을 제거 한 후 그 위에 SiO2/SiNx 반사방지막 코팅을 수행하는 공정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조공정
3 3
제 2 항에 있어서,상기 반사방지막 코팅 공정을 수행하기 전, 1-100nm의 나노두께를 갖는 Ag금속을 상기 에미터층 전체에 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조공정
4 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.