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제1 도전형 반도체 영역; 제2 도전형 반도체 영역; 상기 제1 도전형 반도체 영역과 제2 도전형 반도체 영역 사이에 형성된 활성층 영역; 및 양자점 함유 영역;을 포함하는 LED 소자로서, 상기 활성층 영역을 도너(donor)로 하고 상기 양자점을 어셉터(acceptor)로 하는 FRET 현상이 유발되고,상기 양자점 함유 영역은 상기 양자점이 위치하는 영역으로서, 상기 양자점함유 영역은 상기 제1 도전형 반도체와 활성층 사이 또는 상기 제 2 도전형 반도체와 활성층 사이에 위치하고, 및 상기 양자점이 상기 활성층 영역 외면에 접촉하거나 또는 상기 활성층 영역과 10nm 이내의 거리로 위치하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 영역은 하부 반도체 영역으로서 p-형 반도체 재질이고, 상기 제2 도전형 반도체 영역은 상부 반도체 영역으로서 n-형 반도체 재질인 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제1항에 있어서,상기 LED 소자는 상기 양자점 함유영역에 금속 나노입자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제1항에 있어서,상기 양자점의 사이즈는 0
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제1항에 있어서, 상기 LED 소자는 상기 양자점의 사이즈에 따라 200 내지 1770 nm 파장 범위의 발광 대역을 갖는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 및 제2 도전형 반도체는 GaN, InN, AlN, InP, InS, GaAs, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, AlxGa1-xN, InxGa1-xN, InxGa1-xAs, ZnxCd1-xS, InZnO(IZO), InSnO2, ZTO(zinc tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), In2O3, Ga2O3, InGaZnO(IGZO) 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자:상기에서, 0003c#x003c#1
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제1 도전형 반도체 영역;제2 도전형 반도체 영역;상기 제1 도전형 반도체 영역과 제2 도전형 반도체 영역 사이에 형성된 활성층 영역; 및상기 제2 도전형 반도체 영역과 상기 활성층 영역 사이에 형성된 양자점 함유 영역;을 포함하는 LED 소자로서, 상기 활성층 영역을 도너(donor)로 하고 상기 양자점을 어셉터(acceptor)로 하는 FRET 현상이 유발되고, 상기 양자점 함유 영역은 상기 양자점이 위치하는 영역으로서, 상기 양자점은 상기 제2 도전형 반도체 영역 내부에 위치하고, 및 상기 양자점이 상기 활성층 영역 외면에 접촉하거나 또는 상기 활성층 영역과 10nm 이내의 거리로 위치하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제8항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 영역 및 제2 도전형 반도체 영역은 각각 하부 도전형 반도체 영역 및 상부 도전형 반도체 영역으로서, 상기 제1 도전형 반도체 영역과 상기 제2 도전형 반도체 영역이 서로 상이한 재질이고, 상기 제1 도전형 반도체 영역은 p-형 GaN 재질이고, 상기 제2 도전형 반도체 영역은 n-형 ZnO, InZnO(IZO), InSnO2(ITO), InGaZnO(IGZO) 재질인 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제8항에 있어서,상기 LED 소자는 상기 양자점 함유영역에 금속 나노입자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제8항에 있어서,상기 활성층 영역은 양자우물과 양자 배리어로 이루어지는 단일 또는 다중양자우물 구조를 갖고, 상기 양자점 함유 영역과 가장 근접하는 양자 배리어의 두께가 1~10 nm인 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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상호 이격되어 배열되고, 아래로부터 순차적으로 제1 도전형 반도체 영역, 활성층 영역 및 제2 도전형 반도체 영역을 포함하는 복수의 입체 구조물 영역; 상기 입체 구조물 사이에 형성된 양자점 함유 영역; 및상기 입체 구조물 영역 위에 형성된 투명 전도성 영역;을 포함하는 LED 소자로서, 상기 활성층 영역을 도너(donor)로 하고 상기 양자점을 어셉터(acceptor)로 하는 FRET 현상이 유발되는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제12항에 있어서, 상기 복수의 입체 구조물 영역은 로드 형상으로서, 직경이 10 내지 900 nm, 길이가 20 nm 내지 5 ㎛, 그리고 로드 사이의 간격이 50 내지 500 nm 범위인 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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제12항에 있어서,상기 복수의 입체 구조물 영역은 중공 실린더 형상으로서, 상기 중공 실린더의 외경 및 내경이 각각 2 내지 10㎛ 및 1 내지 8㎛ 범위이고, 상기 중공 실린더 간 간격이 2 내지 10㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 FRET 기반 LED 소자
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