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인듐 도핑된 산화아연 나노로드 박막층을 포함하는 태양전지용 전극 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015178640
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐 도핑된 산화아연 나노로드 박막층을 포함하는 태양전지용 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상세하게는, 본 발명은 광흡수도를 높이고 제조원가를 낮출 수 있는, 인듐(In) 도핑된 ZnO(ZnO:In) 나노로드가 기판에 수직으로 정렬된 박막층을 포함하는 태양전지용 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020110032845 (2011.04.08)
출원인 전북대학교산학협력단, 알티솔라 주식회사
등록번호/일자 10-1304643-0000 (2013.08.30)
공개번호/일자 10-2012-0114974 (2012.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 알티솔라 주식회사 대한민국 전라북도 완주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최대규 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 최성민 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 김경도 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 정은수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
2 알티솔라 주식회사 전라북도 완주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0259067-16
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0032587-27
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0358856-78
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010948-07
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0375644-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0685613-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0750812-46
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0012808-41
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0374053-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(i) 유리 기판의 표면을 스퍼터링하는 단계;(ii) 상기 스퍼터링된 유리 기판상에 ZnO:In 나노로드를 형성시키는 단계; 및(iii) 상기 ZnO:In 나노로드의 말단을 식각하는 단계를 포함하는, 태양전지용 전극 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 유리 기판은 어닐링된 것임을 특징으로 하는 태양전지용 전극 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 (i)단계는 RF 마그네트론 스퍼터를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 제조 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 (ii)단계는 수열법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 수열법에서 전구체로서 ZNH(Zn(NO3)2·6H2O)와 HMT(C12H6N4)를 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 수열법에서 도펀트로서 INN(In(NO3)3·nH2O))를 사용하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 제조 방법
12 12
제6항에 있어서, 상기 (iii)단계는 NaOH 용액을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 ZNH(Zn(NO3)2·6H2O)와 HMT(C12H6N4)의 농도 또는 몰비율을 달리하여 상기 나노로드의 크기를 변화시키는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 제조 방법
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