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Ｐｔ촉매를 이용한 ＧａＮ 나노와이어의 성장방법

  • 기술번호 : KST2015178651
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법에 관한 것으로, 두께가 일정하고 성장길이가 비슷한 수직성장이 유도된 GaN 나노와이어를 성장시킬 수 있고, GaN 나노와이어에 전극으로 이용할 수 있는 Pt 용적방울이 형성된 GaN 나노와이어를 성장시킬 수 있는 방법에 관한 것으로서, 반도체기판 상에 Pt 촉매층을 형성하는 단계와; 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계와; 상기 반도체기판을 어닐링하여 Pt-Ga 용적방울을 형성하는 단계와; 상기 반도체기판을 MOCVD법으로 캐리어가스, TMGa, NH3를 공급하여 GaN 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어진다.
Int. CL C01B 21/06 (2006.01) H01B 1/06 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/283 (2006.01)
CPC C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01)
출원번호/일자 1020110019169 (2011.03.03)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1273702-0000 (2013.06.04)
공개번호/일자 10-2012-0100340 (2012.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.03)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 라용호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 송기영 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 기린대로 ***, 삼전빌딩 *층 이승현국제특허법률사무소 (덕진동*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0155649-73
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0265809-84
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0072494-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0602832-77
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-1025566-80
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0027974-52
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0126128-08
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0126146-19
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0382199-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 반도체기판 상에 Pt 촉매층을 DC Sputter, E-beam evaporation, Thermal evaporation 중 선택된 어느 한 방법을 사용하여 20~200초 동안 증착시키는 단계와;b) MOCVD 챔버 내에 캐리어가스, TMGa을 공급하면서 700~1000℃의 온도로 20~150초동안 유지하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계와;c) 상기 반도체기판을 500~750℃에서 5~15분간 어닐링하여 Pt-Ga 용적방울을 형성하는 단계와;d) 상기 반도체기판을 MOCVD법으로 캐리어가스와 함께 TMGa, NH3를 각각 0
2 2
제1항에 있어서,상기 a)단계의 상기 반도체기판은 Si 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.