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PANI/Ga-ZnO 이종접합구조 장치의 갈륨 이온 도핑에 의한 전기적 특성

  • 기술번호 : KST2015178660
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 PANI(p-polyaniline)/ZnO 이종접합구조 장치에서 PANI는 플라스마를 이용하여 제조된 것임을 특징으로 할 수 있고, 상기 갈륨 이온 도핑은 갈륨-아연산화물(Ga-ZnO) 화학합성법으로 제조한 나노입자(NPs)를 이용하는 것임을 특징으로 할 수 있으며, 상기 전기적 특성의 향상은 전하 전도의 효율성의 향상인 것을 특징으로 할 수 있다. 또한 본 발명은 상기 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 의해 제조된 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/n-ZnO 이종접합구조 장치에 관한 것이다.본 발명은 기존의 이종접합구조 장치보다 더 높은 품질과 성능으로 기존의 레이저 다이오드와 자외선 광검출기인 LED 와 같은 광전자 장치에 이용되어 질수 있고, 낮은 전압과 과민한 정류기의 퍼텐셜 생산을 위한 좋은 재료로 활용될 수 있으며, 레이저 다이오드, 자외선 광검출기(LEDs), FET소자, SET소자, 태양전지 등 다양한 기술에 적용될 수 있다는 점에서 산업상 이용가능성이 매우 우수하다고 할 것이다.
Int. CL H01L 51/40 (2006.01)
CPC H01L 51/0587(2013.01)
출원번호/일자 1020110030485 (2011.04.04)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1244227-0000 (2013.03.11)
공개번호/일자 10-2012-0112904 (2012.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영순 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 정주영 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 아민사디아 인도 전북 전주시 덕진구
4 임유빈 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
5 신형식 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0241926-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021121-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0512274-66
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0864161-70
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0995286-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0995285-61
9 등록결정서
Decision to grant
2013.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0081103-14
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0143544-21
11 보정요구서
Request for Amendment
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0022173-29
12 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0176390-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnO에 갈륨산화물을 가열처리하여 갈륨(Ga) 이온이 도핑된 Ga-ZnO층 위에 아닐린(aniline) 단량체를 플라즈마 강화 화학기상법(PECVD)을 이용하여 아닐린 고분자(polyaniline:PANI)로 중합함과 동시에 PANI층을 증착시켜 얻은 PANI/Ga-ZnO 이종접합구조 소자가 PANI(p-polyaniline)/n-ZnO 이종접합 소자 대비 포화전류(IS)의 증가, 이상계수(n)의 감소, 장벽높이의 증가, 정류 거동의 개선 중에서 선택된 어느 하나 이상의 전하 전도의 효율성이 향상되어 전기적 특성을 향상시키는 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 갈륨 이온 도핑은 갈륨-아연산화물(Ga-ZnO) 나노입자(NPs)를 이용하는 것임을 특징으로 하는 갈륨 이온을 도핑함으로써 전기적 특성을 향상시키는 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 전하 전도의 효율성 향상은 갈륨 이온 도핑전에 대비하여 포화전류(IS)가 12
6 6
제1항에 있어서, 상기 전하 전도의 효율성 향상은 갈륨 이온 도핑전에 대비하여 이상계수(n)가 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 전하 전도의 효율성 향상은 갈륨 이온 도핑전에 대비하여 장벽높이가 1
8 8
제1항에 있어서, 상기 전하 전도의 효율성 향상은 갈륨 이온 도핑전에 대비하여 정류 거동이 개선된 것임을 특징으로 하는 갈륨 이온을 도핑함으로써 전기적 특성을 향상시키는 방법
9 9
제1항, 제3항, 제5항 내지 제8항 중 선택된 어느 하나의 방법에 의해 제조된 갈륨 이온이 도핑되어 전기적 특성이 향상된 PANI(p-polyaniline)/n-ZnO 이종접합구조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.