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(1) Si 기판 위에 Au 필름(film), Ni 필름, Pt 필름, Cu 필름, Ag 필름, Fe 필름 및 Cr 필름으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 필름을 증착하는 제1단계; (2) 상기 film이 증착된 Si 기판에 droplet을 형성하기 위해 annealing하는 제2단계; (3) GaN nanowires 성장시키는 제3단계(1-step); (4) GaN nanowires의 상부를 lateral 성장시키는 제4단계(2-step); (5) GaN nanowires의 상부에 추가적으로 lateral 성장시켜 영문자 Y 자의 형상으로 유도하는 제5단계(3-step); 및 (6) GaN nanowires에 epitaxial layer를 성장시키는 제6단계(4-step)를 포함하는 4-step NWELOG(4-step nanowires epitaxial lateral over growth) 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계의 film은 Sputtering system을 이용하여 증착시키는 것을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계의 증착의 두께는 1~30nm이고, 상기 증착의 시간은 10~300초인 것을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계의 droplet은 annealing의 조건에 따라 모양과 크기가 결정되는 것임을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계의 GaN nanowires의 성장의 온도는 710~740℃이고, 압력은 500~600 torr 인 것을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계의 GaN nanowires의 두께는 제1단계에서 증착된 film의 두께 및 성장시간에 의해 결정되는 것임을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항에 있어서, 상기 제4단계의 lateral 성장의 온도는 820~840℃이고, 압력은 500~600 torr 인 것을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항에 있어서, 상기 제5단계의 lateral 성장의 온도는 940~960℃이고, 성장 압력은 500~600 torr 인 것을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항에 있어서, 상기 제6단계의 epitaxial layer의 성장 온도는 1020~1040℃이고, 성장 압력은 80~120 torr 인 것을 특징으로 하는 4-step NWELOG 방법
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제1항 내지 내9항 중 선택된 어느 하나의 방법을 광소자 또는 전자소자에 이용하는 방법
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