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반도체 광전소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178686
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3족 원소의 질화물을 구비한 반도체 광전소자 제조방법에 관한 것이다.본 발명은, P형 반도체와 접촉하도록 산재하는 복수의 P형 반도체용 도트를 형성하는 단계; (B) 상기 복수의 P형 반도체용 도트 및 상기 P형 반도체를 덮도록 그래핀 재질의 P형 반도체용 투명전극을 형성하는 단계; 및 (C) 상기 P형 반도체용 투명전극에 P형 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 (A)단계는, 인듐 주석 산화물, 갈륨 도핑 산화아연, 산화아연 및 인듐 갈륨 산화아연 중에서 선택된 어느 한 투명 금속산화물의 분말을 상기 P형 반도체 상에 증착시키는 단계; 열처리를 통해 상기 투명 금속산화물의 분말을 부분적으로 결정화하는 단계; 및 결정화되지 않은 상기 투명 금속산화물의 분말을 식각하는 단계;를 포함하고, 상기 (B)단계는, 산화 그래핀 용액을 희석액인 히드라진과 혼합하여 혼합액을 형성하는 단계; 및 상기 혼합액을 미리 가열된 상기 P형 반도체층 상에 도포하는 단계;를 포함하는 것이다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020110094368 (2011.09.20)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1619110-0000 (2016.05.02)
공개번호/일자 10-2013-0030840 (2013.03.28) 문서열기
공고번호/일자 (20160511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서은경 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 이강재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 서태훈 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0728771-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0762334-82
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0039396-20
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0670586-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1168326-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1168252-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 등록결정서
Decision to grant
2016.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0299396-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
순차적으로 적층된 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하는 반도체 광전소자를 제조하는 방법으로서,(A) 상기 P형 반도체와 접촉하도록 산재하는 복수의 P형 반도체용 도트를 형성하는 단계; (B) 상기 복수의 P형 반도체용 도트 및 상기 P형 반도체를 덮도록 그래핀 재질의 P형 반도체용 투명전극을 형성하는 단계; 및 (C) 상기 P형 반도체용 투명전극에 P형 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 (A)단계는, 인듐 주석 산화물, 갈륨 도핑 산화아연, 산화아연 및 인듐 갈륨 산화아연 중에서 선택된 어느 한 투명 금속산화물의 분말을 상기 P형 반도체 상에 증착시키는 단계; 열처리를 통해 상기 투명 금속산화물의 분말을 부분적으로 결정화하는 단계; 및 결정화되지 않은 상기 투명 금속산화물의 분말을 식각하는 단계;를 포함하고,상기 (B)단계는, 산화 그래핀 용액을 희석액인 히드라진과 혼합하여 혼합액을 형성하는 단계; 및 상기 혼합액을 미리 가열된 상기 P형 반도체층 상에 도포하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광전소자 제조방법
4 4
제3항에 있어서,(D) 상기 N형 반도체와 접촉하도록 산재하는 복수의 N형 반도체용 도트를 형성하는 단계;(E) 상기 복수의 N형 반도체용 도트 및 상기 N형 반도체를 덮도록 그래핀 재질의 N형 반도체용 투명전극을 형성하는 단계; 및(F) 상기 N형 반도체용 투명전극에 N형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광전소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전북대학교 2005선정 중점연구소 지원사업 차세대반도체 물성연구
2 기초연구사업 전북대학교 기초연구실육성사업 나노그리소그라피 기반 LED 기초연구실