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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계 ; 상기 버퍼 층의 상면을 건식 또는 습식 에칭 처리하여 다공성 구조를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 후면에 광을 조사하여 상기 버퍼층의 하면에서부터 다공성 구조를 추가로 형성하는 광전기화학 에칭(PEC)을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 버퍼층의 상면에서부터 형성된 다공성 구조와 상기 버퍼층의 하면에서부터 형성된 다공성 구조를 서로 상이하게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층의 상면에서의 에칭에 의해 상면에서 하면으로 원기둥 형상의 다공영역을 형성하고, 상기 기판의 후면에서 PEC 에칭에 의해 버퍼층의 하면에서 상면으로 원뿔(cone) 형상의 다공영역을 형성하되, 상기 다공영역은 에칭에 의해 제거된 영역인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 광전기화학 에칭(PEC)을 수행하는 단계는 상면에서부터 기 형성된 다공성 구조에 의해 광전기화학 에칭(PEC) 속도가 저해되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층의 상면에서부터 다공성 영역을 형성하는 단계는 방법은 버퍼층의 상면을 습식 전기화학적 에칭을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층의 두께가 1~3㎛범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 방법은 광전기화학 에칭을 추가로 수행하여 상기 기판과 버퍼층을 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 방법은 분리된 버퍼층 상에 제 1 도전형 반도체층, 광활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 기판 또는 버퍼층에 외부 압력 또는 기계적 힘을 가하여 상기 버퍼층을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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10
제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 광전기화학 에칭 단계 이후에 상기 버퍼층 상에 제 1 도전형 반도체층, 광활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 형성하는 단계 ; 및 상기 기판의 후면에 광전기화학 에칭(PEC)을 추가로 수행하여 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계 ; 상기 버퍼 층의 상면을 전기화학적 습식 에칭 처리하여 다공성 구조를 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 제 1 도전형 반도체층, 광활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 형성하는 단계 ; 및 상기 기판의 후면에 광전기화학 에칭(PEC)을 수행하여 발광다이오드를 상기 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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기판 상에 제 1 버퍼층을 형성하는 단계 ; 상기 제 1 버퍼 층의 상면을 건식 또는 습식 에칭 처리하여 다공성 구조를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 후면에 광을 조사하여 상기 제 1 버퍼층의 하면에서부터 다공성 구조를 추가로 형성하는 광전기화학 에칭(PEC)을 수행하는 단계 ; 상기 제 1 버퍼층상에 유전체층을 선택적으로 형성시키는 단계 ; 상기 유전체 층을 커버하도록 상기 제 1 버퍼층에서부터 제 2 버퍼층을 측면성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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기판 상에 제 1 버퍼층을 형성하는 단계 ; 상기 제 1 버퍼 층의 상면을 건식 또는 습식 에칭 처리하여 다공성 구조를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 후면에 광을 조사하여 상기 제 1 버퍼층의 하면에서부터 다공성 구조를 추가로 형성하는 광전기화학 에칭(PEC)을 수행하는 단계 ; 상기 제 1 버퍼층상에 유전체층을 선택적으로 형성시키는 단계 ; 상기 유전체층이 그 위에 형성되지 않은 상기 제 1 버퍼층 및 기판 일부를 제거하는 단계; 상기 기판에서부터 제 2 버퍼층을 측면성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 방법은 상기 기판의 후면에 광전기화학 에칭(PEC)을 추가로 수행하여 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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다공성 영역을 갖는 버퍼층 ; 상기 버퍼층 상에 형성된 제 1 도전형 반도체층 ; 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층 ; 및 상기 활성층 상에 형성된 제 2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 버퍼층은 기판 상에 형성되어 상기 버퍼 층의 상면을 습식 전기화학 에칭 처리하여 상면에서 하면으로 원기둥 형상의 다공영역이 형성되고, 상기 기판의 후면에서 PEC 에칭에 의해 상기 버퍼층의 하면에서 상면으로 원뿔(cone) 형상의 불규칙 다공영역이 형성된 질화갈륨계 층이고, 상기 다공영역은 에칭에 의해 제거된 영역이고, 상기 버퍼층은 전 두께 범위에 걸쳐 다공영역이 형성되고, 그 위에 질화물계 반도체 층이 형성되고, 상기 버퍼층의 두께가 1~3㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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