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양의 온도 계수를 갖는 제1 전류를 생성하는 제1 전류 생성부;음의 온도 계수를 갖는 제2 전류를 생성하는 제2 전류 생성부; 및상기 제1 전류 및 상기 제2 전류를 이용하여 기준전류를 생성하는 기준 전류 생성부;를 포함하고,상기 제1 전류 생성부는,제1 증폭기의 출력이 인가되는 제1 PMOS 트랜지스터에 제1 저항소자가 연결된 구조인 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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제1항에 있어서, 상기 제1 전류 생성부는, 증폭기, 저항 소자, 및 PMOS(Positive Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터 및 BJT(Bipolar Junction Transistor) 트랜지스터를 이용하여 제1 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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제1 항에 있어서, 상기 제1 전류 생성부는상기 제1 및 제2 노드의 전압을 입력받아 증폭하는 제1 증폭기;전원전압단과 제4 노드 사이에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터 및 상기 전원전압단과 제5 노드 사이에 연결된 제2 PMOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 증폭기의 출력신호에 응답하여 전류미러를 형성하는 제1 전류미러부;상기 제4노드와 상기 제1노드 사이에 연결된 제1 저항소자;상기 제4노드와 상기 제2노드 사이에 연결된 제2 저항소자;상기 제1 노드와 접지단 사이에 직렬로 연결된 제3 저항소자와 제1 BJT 트랜지스터; 및상기 제2 노드와 접지단 사이에 연결된 제2 BJT 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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4
제3항에 있어서, 상기 제2 BJT 트랜지스터는,상기 제1 BJT 트랜지스터보다 N배 큰 사이즈로 설정되는 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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5
제3항에 있어서, 상기 제2 PMOS 트랜지스터는, 상기 제1 PMOS 트랜지스터보다 M배 큰 사이즈로 설정된 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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양의 온도 계수를 갖는 제1 전류를 생성하는 제1 전류 생성부;음의 온도 계수를 갖는 제2 전류를 생성하는 제2 전류 생성부; 및상기 제1 전류 및 상기 제2 전류를 이용하여 기준전류를 생성하는 기준 전류 생성부;를 포함하고,상기 제2 전류 생성부는,제2 증폭기의 출력이 인가되는 제4 PMOS 트랜지스터에 제4 저항소자가 연결된 구조인 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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7
제6항에 있어서, 상기 제2 전류생성부는상기 제2 노드의 신호와 제3 노드의 신호를 입력받아 증폭하는 제2 증폭기;전원전압단과 제5 노드 사이에 연결된 제3 PMOS 트랜지스터 및 상기 전원전압단과 상기 제3 노드 사이에 연결된 제4 PMOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 증폭기의 출력신호에 응답하여 전류미러를 형성하는 제2 전류미러부; 및상기 제3 노드와 접지단 사이에 연결된 제4 저항소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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8
제7항에 있어서, 상기 제3 PMOS 트랜지스터는,제4 PMOS 트랜지스터보다 L배 큰 사이즈로 설정되는 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 기준 전류 생성부는,제5 노드와 접지단 사이에 연결된 제5 NMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전류 생성회로
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10
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 기준전류 생성회로로부터 기준전류를 제공받는 전원 관리 IC를 포함하는 전자기기
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